型号:

STN2NF10

品牌:ST(意法半导体)
封装:SOT-223
批次:24+
包装:编带
重量:0.22g
其他:
STN2NF10 产品实物图片
STN2NF10 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 3.3W 100V 2.4A 1个N沟道 SOT-223-4
库存数量
库存:
7488
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.01
100+
1.62
1000+
1.44
2000+
1.36
4000+
1.29
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)260mΩ@10V,1.2A
功率(Pd)3.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@80V
输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

STN2NF10 产品概述

1. 产品简介

STN2NF10是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),该器件设计用于高效的电源管理、开关电路及其他需要高电压和电流处理的应用。STN2NF10具有优越的电气性能和高可靠性,封装为SOT-223型,适合于表面贴装技术(SMT),具有良好的热管理性能。

2. 主要参数

  • 漏源电压(Vds): 100V,这意味着其能够承受高达100伏的漏极到源极的电压,是许多中等功率窗口应用的理想选择。
  • 连续漏极电流(Id): 2.4A(在25°C时),提供足够的电流容量,支持多种电源供应和负载驱动场合。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在1.2A和10V的条件下为260毫欧,这使得在开关时能有效降低功率损耗,达到较高的能效。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 4V(在250µA时),提供稳定的开关控制,适合逻辑电平转换应用。
  • 最大功率耗散: 3.3W(在25°C时),这个参数强调了干扰和过热的防护能力,确保器件在高负载下稳定工作。

3. 应用场景

STN2NF10因其优异的电气特性,广泛用于各种电气和电子应用中,具体包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS): 在AC-DC和DC-DC转换中作为开关元件,能够有效管理电力。
  • 电机驱动: 可用于直流电机控制及步进电机驱动,提供精确的控制方案。
  • LED驱动电路: 控制高电流LED照明应用中的电流流动,确保工作温度和亮度表现稳定。
  • 功率管理电路: 在无刷电机、逆变器等多种应用中,进行高效能量转换和管理。

4. 设计优势

  • 宽工作温度范围: 该器件可以在-55°C到150°C的环境下运行,适合于恶劣环境及高温应用,其可靠性在多种条件下均得到了验证。
  • 小型化和高效能: SOT-223封装不仅节省空间,还能够提供出色的散热能力,保证在高功率下的稳定性。
  • 易于驱动和控制: 随着市场对快速切换和高频操作需求的增加,STN2NF10具备快速开关特性,尤其是在高频开关电源中的应对能力,能够显著提升整体电路效率。

5. 封装细节

STN2NF10采用SOT-223封装,这是一种流行的表面贴装式封装,适合自动化生产和高密度电路板设计。其结构设计有效减少了占板面积,提高了PCB布线的灵活性。

6. 总结

STN2NF10以其100V的高漏源电压、2.4A的连续漏极电流、260毫欧的导通电阻和3.3W的功率耗散能力,成为了一款在电源管理及各种开关应用中不可或缺的N沟道MOSFET。它的设计和性能使得用户能够在多种电气环境下使用,确保了设备的高效能和长久的可靠性,是现代电子设计中理想的解决方案。