描述：场效应管(MOSFET) 3.3W 600V 300mA 1个N沟道 SOT-223
库存数量
库存：
4001
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.89
100+
1.51
1000+
1.34
2000+
1.28
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15Ω@10V,0.4A
功率(Pd)3.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.9nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)94pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)2.8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
STN1NK60Z 产品概述
产品简介
STN1NK60Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)，具有600V的漏源极电压（Vdss）和高达300mA的连续漏极电流（Id）。该器件采用SOT-223封装，适用于包括电源开关、马达驱动和高压解耦等广泛的应用场合。
规格参数
STN1NK60Z 的主要规格包括：
- 封装类型: SOT-223
- FET类型: N 沟道
- 漏源极电压 (Vdss): 600V
- 栅源电压 (Vgss): ±30V
- 最大连续漏极电流 (Id): 300mA（在 Tc ≤ 25°C时）
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大15Ω @ 400mA，10V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大4.5V @ 50µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大6.9nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大94pF @ 25V
- 功率耗散: 最大3.3W（在 Tc ≤ 25°C时）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
性能特点
高电压能力: STN1NK60Z能够承受高达600V的漏源极电压，使其适合于高电压应用中，能够有效防止电气击穿，保障电路的稳定性和安全性。
低导通电阻: 尽管导通电阻（Rds(on)）在最佳工作条件下达到了15Ω，但在适当的驱动电压下，该特性大大降低了在工作过程中产生的功耗，提高了电路的整体效率。
广泛的工作温度范围: 产品的工作温度范围从-55°C到150°C，适用于各种环境条件，这使得其在汽车、工业、消费电子等领域具有极高的应用灵活性。
优化的栅极驱动要求: STN1NK60Z的阈值电压（Vgs(th)）最大为4.5V，这使得该器件在较低电压下就能开始导通，有助于设计嵌入式系统的功耗管理。
应用场景
STN1NK60Z 的设计使其适用于多种电子电路应用，包括但不限于：
- 电源管理: 由于其高电压承受能力与低导通电阻，使其理想用于开关电源、适配器与电源转换器电路中。
- 电机驱动: 常用于电动机控制电路，可有效提高系统的效率并降低热损耗。
- LED驱动电路: STN1NK60Z可用于驱动高电流LED灯，保证灯具有效的光输出与较长的使用寿命。
- 汽车电子: 得益于其广泛的工作温度范围，该器件适合用于汽车的各种控制模块和电源电路。
总结
STN1NK60Z 作为一款高压、高性能的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能和广泛的应用适应性，成为电子工程师在设计高效稳定的电源管理及控制系统时的理想选择。其紧凑的SOT-223封装不仅便于集成，也为便携式设备提供了极大的设计灵活性。通过引入该 MOSFET，工程师能够有效提升产品的性能、可靠性及能效，从而满足现代电子产品的严格要求。