STF14NM50N

STF14NM50N 产品概述

产品简介

STF14NM50N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道MOSFET，适用于需要高电压和高电流承载能力的各种电子应用。该器件在设计时兼顾了高效散热、低导通电阻和宽工作温度范围特性，使其在功率管理和开关应用中表现出色。

主要技术规格

• 漏源电压（Vdss）：500V
  STF14NM50N能够承受高达500V的漏源电压，非常适合用于高压应用场合，如电源转换、电机驱动和工业控制等领域。

• 连续漏极电流（Id）：12A @ 25°C
  在标准温度下，该器件能够持续承载12A电流，适用于各种电流需求较高的负载。

• 导通电阻（Rds(on)）：320mΩ @ 6A, 10V
  其导通电阻低，从而有效降低开关损耗，提高整体系统效率。理想情况下，在10V驱动电压条件下，其导通电阻为320毫欧，在负载电流为6A时表现最佳。

• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 100µA
  该值决定了MOSFET开启的最小栅电压，确保其在适当的条件下快速导通。

• 输入电容（Ciss）：816pF @ 50V
  较低的输入电容以及快速开关特性，使得STF14NM50N可用于高频电路，帮助改善系统的响应速度。

• 栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V
  较低的栅极电荷有助于简化驱动电路设计，降低驱动器的功率损耗。

热特性

• 最大功率耗散：25W @ Ta=25°C
  该器件在环境温度25°C下的最大功耗为25W，使其适应广泛的电流与电压条件。

• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
  宽广的工作温度范围确保了STF14NM50N能够在极端环境条件下正常工作，适合各类工业应用。

封装和安装

• 封装类型：TO-220FP
  STF14NM50N采用TO-220-3封装，便于在PCB板上安装，为散热提供了良好的条件。此外，通孔安装设计使其能够更有效地与散热器结合，增强散热性能。

应用领域

STF14NM50N广泛应用于以下领域：

1. 开关电源：凭借其高耐压和低导通电阻，适合于开关电源和DC-DC转换器。
2. 工业控制：可以用于电机控制系统，尤其是高压电机驱动。
3. 电动汽车：在电动汽车及混合动力汽车的电源管理系统中表现出色。
4. LED驱动电路：适合用于高效LED照明解决方案。
5. 消费电子：在高效和高压的消费电子产品中，提升整机的可靠性和性能。

总结

STF14NM50N是一款综合性能优秀的N沟道MOSFET，它的高漏源电压、优异的导通电阻以及宽广的工作温度范围，使其在多种应用场合中都能发挥重要作用。无论是在大功率电源转换、工业自动化还是电动汽车技术中，STF14NM50N都是一款可靠且高效的元器件选择，为各种电子设计提供了强有力的支持。