SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3 产品概述

基本信息

SIR882ADP-T1-GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)。该产品专为高效能电源管理和开关应用而设计，具备卓越的电气特性和温度稳定性。其独特的设计使其能够满足高电流和高电压的要求，广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、马达驱动以及各种电力电子设备中。

关键参数

• 安装类型: 表面贴装型，适应自动化生产，节省空间。
• 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压下，当漏极电流为 20A 时，导通电阻的最大值为 8.7 毫欧，这使得该器件在高负载电流下能够保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。
• 连续漏极电流 (Id): 最大持续漏极电流为 60A（在晶片温度 Tc 下），这使得产品在高负载条件下仍能稳定工作。
• 漏源电压 (Vdss): 具有 100V 的漏源电压额定值，适合多种高压应用。
• 工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在极端环境下保持稳定性能，适合工业和汽车等要求高可靠性的应用场合。

驱动与性能

• 驱动电压 (Vgs): 可以在 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压下启动和运行。相应的，最大栅极电压为 ±20V，提供了宽泛的兼容性，适应各种驱动电路设计。
• 输入电容 (Ciss): 在 50V 时的输入电容为 1975pF，适合高速开关应用，确保快速响应时间，减少损耗。
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅极驱动下，最大栅极电荷为 60nC，代表着在开关频率较高的情况下，所需的驱动功率较低，从而进一步提高了系统的效率。

封装与应用

SIR882ADP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，该封装形式不仅在热管理方面表现优秀，同时也具有较小的占板面积，适合在空间受限的应用中使用。由于其出色的电气特性和热特性，SIR882ADP-T1-GE3 可广泛用于：

• DC-DC 转换器：在电源电压转化过程中提供高效能开关。
• 马达驱动：用于控制直流电机、步进电机的驱动开关。
• 高频开关应用：因其快速的开关时间，适合高频率运作的电力电子设备。
• 符合汽车应用中高温及极端环境需求，如电机控制模块及其它电子控制单元。

结论

SIR882ADP-T1-GE3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，涵盖了高电流以及高电压应用的需求。凭借其出色的导通特性、宽工作温度范围和高效的散热能力，该器件在现代电子设计中具有重要的应用价值。无论是在电力转换、马达驱动还是复杂的电力管理系统中，SIR882ADP-T1-GE3 都能为设计师提供可靠的解决方案，助力高性能电子产品的研发与生产。