描述：表面贴装型-N-通道-30V-40A（Tc）-5W（Ta）-48W（Tc）-PowerPAK®-SO-8
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100+
1.88
750+
1.67
1500+
1.58
产品参数
属性参数值
封装/外壳PowerPAK® SO-8
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.2 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）77nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3340pF @ 15V
功率耗散（最大值）5W（Ta），48W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
SIR166DP-T1-GE3 产品概述
SIR166DP-T1-GE3 是由威世（VISHAY）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。这款元器件设计用于满足现代电子设备高效能与可靠性的需求，特别适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率应用。
关键特性
电源和电压规格:
- 漏源电压（Vdss）最大值为 30V，意味着该器件可以在高达 30V 的环境中安全工作。这使其适用于多种中低压应用，能够有效处理常见的电压要求。
- 其最大连续漏极电流（Id）可达 40A（在 Tc 条件下），这为电子设备提供了强大的电流传输能力，适合大功率输出场合。
栅源电压（Vgss）:
- SIR166DP-T1-GE3 的栅源电压最大为 ±20V，这保证了在极端操作条件下的安全性，有助于防止器件损坏。
导通电阻和开关特性:
- 在 10V 的栅极驱动条件下，其最大导通电阻（Rds on）可达到 3.2 毫欧，在 15A 的电流下表现出色。这意味着在工作时能耗低，有助于提高整体系统效率，降低热量产生。
- 通过控制栅极电压，可以获得最优的电流导通性能，这对高效率应用尤为重要。
热性能:
- SIR166DP-T1-GE3 的功率耗散能力为 5W（环境温度 Ta），在工作温度范围 -55°C 到 150°C 内，它的热管理能力在设计过程中显得尤为重要。在更高的结温条件下，功率耗散可达到 48W，确保在高功率应用中稳定运行。
电气特性:
- 在工作条件下，其输入电容（Ciss）最大为 3340pF（在 15V 时测量），这种特性对于高频开关应用至关重要。
- 栅极电荷（Qg）在 10V 的驱动下为 77nC，反映出该器件在操作时的控制特性优良，使其能快速响应开关操作，降低开关损耗。
应用领域
SIR166DP-T1-GE3 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 高效率的电源转换器，广泛应用于计算机、通信设备及消费电子中。
- DC-DC 转换器: 适合用于降压或升压电路，以满足不同电压需求的设备。
- 电机驱动: 作为驱动电路中的开关元件，提升电机控制的效率和性能。
- 电池管理系统: 在电池充放电过程中的开关控制，提高能量效率和使用寿命。
总结
SIR166DP-T1-GE3 是一款集合高性能、优良导通特性及宽广工作温度范围的 N 通道 MOSFET，适合在现代多种电力和电动应用中使用。凭借其卓越的电流处理能力及低导通电阻，SIR166DP-T1-GE3 能够在各种苛刻环境下稳定工作，是设计工程师实现高效率、低功耗电路的理想选择。通过选择这款元器件，用户可以在降低系统成本的同时，提高最终产品的性能和可靠性。