SIHG30N60E-GE3

产品概述：SIHG30N60E-GE3 N沟道MOSFET

一、基本信息

SIHG30N60E-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由全球知名品牌VISHAY（威世）生产，广泛应用于电力电子、开关电源、马达驱动和逆变器等领域。这款MOSFET具有600V的漏源电压（Vdss）和高达29A的连续漏极电流（Id），使其在高压、大电流应用中展现出卓越的性能和可靠性。

二、技术参数

1. 最大漏源电压（Vdss）： 600V
2. 连续漏极电流（Id）： 29A（在25°C时）
3. 导通电阻（Rds On）： 125mΩ（在15A，10V的条件下）
4. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 4V @ 250µA
5. 最大功率耗散： 250W（在Tc条件下）
6. 驱动电压: 最大 Rds On与最小 Rds On 为10V
7. 最高工作温度： -55°C至150°C
8. 封装类型: TO-247AC

三、电气特性

SIHG30N60E-GE3的电气特性设计得非常出色，漏源电压达到600V，使其在高电压应用中具有良好的适应性。其连续漏极电流为29A，表明在进行大功率应用时可保持稳定的工作性能。

在漏源导通电阻方面，其125mΩ的低值确保了在高负载情况下的高效能和低热量损失，适用于需要高效率的电源设计。此外，栅源阈值电压为4V，能够有效控制MOSFET的开关状态，确保设备运行的可靠性。

四、输入与输出特性

SIHG30N60E-GE3的输入电容（Ciss）在100V下的最大值为2600pF，而栅极电荷（Qg）则为130nC（@ 10V），这表明其在切换速度方面具有良好的表现。较小的输入电容和栅极电荷意味着MOSFET能够快速响应驱动信号，有助于提高开关频率并减小开关损耗。

五、工作温度与封装

该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适合于恶劣环境中使用，使其在工业应用中表现出色。它采用TO-247AC封装，具有良好的散热性能，有助于提高工作可靠性，并简化冷却设计。

六、应用领域

SIHG30N60E-GE3广泛应用于以下领域：

1. 开关电源（SMPS）： 由于其高电压和高电流能力，适合高效的开关电源设计。
2. 马达驱动： 可用作各种电机的驱动器，以实现高效控制。
3. 逆变器： 适用于光伏逆变器和其他能源转换设备。
4. 自动化设备： 在工业自动化中，用于控制和驱动各类负载。

七、总结

总的来说，SIHG30N60E-GE3是一款技术先进、性能稳定的N沟道MOSFET，凭借其出色的电压、电流承载能力以及良好的开关特性，成为了高效电源和驱动系统中的理想选择。其广泛的应用可能性和可靠性，以及VISHAY的品牌保证，使得这一产品在市场中极具竞争力，适合各类现代电子设计需求。