描述：表面贴装型-N-通道-60V-15A（Ta）-1.9W（Ta）-PowerPAK®-SO-8
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产品参数
属性参数值
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）7.5 毫欧 @ 20A，10V
技术MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A（Ta）
FET 类型N 通道
Vgs（最大值）±20V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）160nC @ 10V
漏源电压（Vdss）60V
功率耗散（最大值）1.9W（Ta）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
SI7478DP-T1-GE3 产品概述
一、概述
SI7478DP-T1-GE3 是 VISHAY（威世）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用表面贴装型封装，封装类型为 PowerPAK® SO-8。该元件设计用于高效的电力管理和开关应用，其卓越的电气特性和宽温工作范围使其成为多种应用场合的理想选择。
二、主要特点
工作电压和电流：
- 该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）高达 60V，最大连续漏极电流（Id）为 15A，确保其适用于各种高电压和高电流的应用场景。
导通电阻：
- 在 Vgs 为 10V、Id 为 20A 的情况下，导通电阻最大值仅为 7.5 毫欧。这使得 SI7478DP-T1-GE3 可以显著降低能量损耗，提高系统的整体效率，特别是在开关电源和电机控制应用中。
栅极驱动和电荷特性：
- 该元件的栅极驱动电压（Vgs）要求为 4.5V 至 10V，当 Vgs 在 10V 时，栅极电荷（Qg）最大值为 160nC。这些特性使得该 MOSFET 在开关速度和响应时间上表现优异，适合用于高频率开关应用。
温度范围和功耗：
- SI7478DP-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应于严苛的工作环境，并且最大功率耗散能力为 1.9W，满足散热设计的要求。
阈值电压：
- 在不同 Id 值下，Vgs(th) 的最大值为 3V （250µA），提供了较低的开启电压，简化了栅极驱动电路的设计。
三、应用场景
SI7478DP-T1-GE3 的高性能特点使其在多个领域和应用中表现突出，例如：
开关电源：其高效能的导通性能和快速的开关速度使其在开关电源应用中极为合适，可以有效地控制电源的开关状态，减少能量的浪费。
电机控制：该 MOSFET 在电机驱动电路中可用作高侧或低侧开关，满足电机控制对高电流和高效率的要求。
电池管理系统：在锂电池充放电管理中，可以作为主开关，保障高效与安全的电能转化。
DC-DC 转换器：适用于降压或升压转换器中，提高转换效率，缩减器件发热。
四、总结
总体而言，SI7478DP-T1-GE3 是一款具有高效率、灵活性和可靠性的 MOSFET，广泛适用于现代电子设备中的电源管理和控制领域。ShO的高电压能力、低导通电阻、宽温工作范围，以及良好的开关性能，使其成为工程师在设计高效能电源和电机控制系统时的理想之选。无论是在消费电子、工业自动化，还是在电动车及可再生能源应用中，SI7478DP-T1-GE3 均能发挥出色的性能，确保系统的稳定与可靠。