描述：场效应管(MOSFET) 46W 12V 60A 2个N沟道 PowerPAK-SO-8
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产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.4mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)46W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
SI7234DP-T1-GE3 产品概述
产品名称: SI7234DP-T1-GE3
品牌: VISHAY（威世）
封装类型: PowerPAK® SO-8 双N沟道场效应管（MOSFET）
1. 产品结构与类型
SI7234DP-T1-GE3 是一款双N沟道场效应晶体管，采用 VISHAY 公司的先进技术打造，具有优越的电气性能和热管理能力。该产品在表面贴装型（SMD）封装中展现出卓越的散热特性，特别适用于高效率电源管理和驱动应用。
2. 主要电气参数
- 漏源电压 (Vdss): 12V
- 连续漏极电流 (Id): 60A（在25°C下）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.5V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 3.4mΩ @ 20A 和 4.5V
- 最大功率耗散 (Pd): 46W（在25°C环境下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C (TJ)
3. 性能特征
SI7234DP-T1-GE3的设计优化了导通电阻，在高电流和低电压操作时表现优秀，提供了极低的电能损耗。其漏源导通电阻在20A和4.5V条件下达到 3.4mΩ，使其适合于需要高效能的电源转换应用。该器件的栅极电荷为120nC @ 10V，确保快速开关性能，为高频切换应用提供了可靠支持。
4. 应用场景
SI7234DP-T1-GE3 特别适用于电源管理系统，例如：
- 开关电源和DC-DC转换器
- 电机驱动
- LED驱动
- 快速开关技术 该器件适合运用于通信、消费电子、汽车电子等多个领域，其优越的热特性和电气性能使其能够满足高要求场合的需求。
5. 封装与安装
该产品采用 PowerPAK® SO-8 双封装，有效降低了空间占用，同时提升了散热性能，适合自动化贴装工艺。SO-8封装保证了其在PCB板上的可靠性和稳定性，是现代电子设备中广泛应用的封装形式之一。
6. 环境适应性与可靠性
SI7234DP-T1-GE3 能够在极端环境条件下运行，工作温度可达-55°C至150°C。这一宽广的温度范围使得该元器件能够在严苛的工作环境中保持高度的可靠性，包括工业自动化、汽车控制等应用场景。
7. 结语
SI7234DP-T1-GE3 的设计目的是为满足现代电力电子技术的发展需求，提供一款高性能的双N沟道MOSFET。凭借其低导通电阻、优良的开关特性和宽广的工作温度范围，该产品非常适合应用于各类高效能电源管理和驱动电路中。作为一个可靠的解决方案，SI7234DP-T1-GE3 将为设计师在电力电子产品设计中提供强大的支持和灵活性，极大地提升产品的性能与效率。