SI4840BDY-T1-GE3

SI4840BDY-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI4840BDY-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，专为电源管理和高效能开关应用设计。该器件能够承受高达40V的漏源极电压（Vdss），并具备高达19A的连续漏极电流（Id），在25°C的工作环境下表现出色，适合多种工业和消费电子应用。

二、关键特性

1. 封装与安装方式：

   • 封装类型：8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）
   • 安装方式：表面贴装 (SMT)，使其便于在自动化生产线上的应用，同时优化了PCB空间的使用率。

2. 电气特性：

   • 最大漏源极电压 (Vdss)： 40V，能够适应大多数中低压电源电路。
   • 连续漏极电流 (Id)： 25°C下最大为19A，允许较高电流的传输，适合用于电机驱动、DC-DC变换器等应用。
   • 栅源电压 (Vgss)： ±20V，确保了MOSFET在设定信号下可靠地开启和关闭。
   • 导通电阻 (Rds On)： 在10V的驱动电压下，最大导通电阻为9毫欧，这有助于在开关过程中减少功耗和热量生成。
   • 栅极电荷 (Qg)： 在10V时最大为50nC，支持快速开关，适合高频应用场景。

3. 热特性：

   • 功率耗散： 最大全额定功率为2.5W（环境温度下），在壳体温度下可达到6W，确保在高负荷工作情况下不易过热。
   • 工作温度范围： -55°C至150°C，提供广泛的应用环境，适应高温和低温的工业工作条件。

4. 输入特性：

   • 输入电容 (Ciss)： 在20V下仿真最大电容为2000pF，高输入电容为快速开关提供必要支持，确保信号能够有效传递。

5. 品质保证：

   • 产品由知名品牌VISHAY（威世）制造，具有良好的市场信誉，质量可靠，提供保证。

三、应用领域

SI4840BDY-T1-GE3 MOSFET适用于多个领域，主要包括：

• DC-DC转换器： 该器件能够高效地在不同电压之间转换，为各种电子设备供电。
• 电机驱动： 高电流承载能力可用于步进电机和直流电机的驱动电路。
• 开关电源： 适合高频开关电源的应用，提供高效的开关性能。
• 照明控制： 适合LED照明的驱动与控制，包括调光和开关应用。

四、总结

SI4840BDY-T1-GE3以其卓越的电气特性、良好的热管理能力、宽广的工作温度范围及高效的开关性能，使其成为多种电子应用的理想选择。随着智能电子设备和电气化程度的不断提高，这款MOSFET在现代电源管理、电机控制和开关电源方面的需求日益增长。凭借VISHAY（威世）强大的技术能力和市场影响力，这款MOSFET将为设计工程师在提升系统性能方面提供创新的解决方案，支持高效、经济和稳定的电力使用。