描述：场效应管(MOSFET) 1.56W 150V 3.5A 1个N沟道 SOIC-8
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4.53
1250+
4.12
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,5A
功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)36nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)30pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)8.5pF@75V
工作温度-55℃~+150℃
SI4488DY-T1-GE3 产品概述
概述
SI4488DY-T1-GE3 是 VISHAY（威世）推出的一款 N 沟道 MOSFET，其封装采用 8-SOIC（0.154 英寸，3.90mm 宽），是一款表面贴装（SMT）类型的场效应管。该元件的设计目的在于为各类高效能电子电路提供可靠的电源开关及信号控制能力。凭借其卓越的电气性能，这款 MOSFET 被广泛应用于消费电子、电源管理、马达驱动和工业控制等领域。
基本参数
- 名称: SI4488DY-T1-GE3
- 类型: N 沟道 MOSFET
- 封装: 8-SOIC
- 漏源极电压 (Vdss): 150V
- 电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A（在 25°C 条件下）
- 栅源电压 (Vgss): ±20V
- 驱动电压 (Vgs): 10V（用于最大 Rds On，最小 Rds On）
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大 50 毫欧 @ 5A，10V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2V @ 250µA（最小值）
- 栅极电荷 (Qg): 最大 36nC @ 10V
- 功率耗散: 最大 1.56W（在环境温度 Ta 条件下）
- 工作温度: -55°C 到 150°C（结温 TJ）
特点与优势
高电压和电流承受能力: SI4488DY-T1-GE3 具有高达 150V 的漏源极电压和 3.5A 的连续漏极电流，可在宽广的应用范围内提供强大的性能，满足各种高需求的电气设备需求。
低导通电阻: 最大 50 毫欧的导通电阻使其在开关操作时具有较低的功率损失和热量生成，可以显著提高电源的效率，减少散热设计的复杂性。
高温稳定性: 该 MOSFET 能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内工作，符合多种工业应用的工作环境要求，保证了其在严酷条件下的可靠性。
小型封装: SOIC-8 封装不仅节省了电路板空间，便于在高密度配置中使用，同时也具有良好的散热性能，适配现代紧凑型电子设备的设计需求。
快速开关特性: 由于其较小的栅极电荷，SI4488DY-T1-GE3 可实现较快的开关响应，适用于高频操作的电源及电机控制应用。
应用场景
- 开关电源: 作为开关电源中的主要元件，能有效地控制电压和电流，改善系统整体效率。
- 马达控制: 在直流电机控制中用于调速和启动，可实现高效且准确的性能。
- 消费电子: 应用于电视、电脑和其他设备中的电源管理电路，确保高效能的电力供应。
- 工业控制: 在自动化设备与电气控制系统中发挥重要作用，提供稳定可靠的电源输出。
结论
SI4488DY-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，其整合了优越的电气性能、热管理能力及开关特性，适合多种高效能电路的应用。凭借 VISHAY 的先进技术与材料，该 MOSFET 不仅能满足现代电子产品的需求，还能在高温高压环境中保持稳定的工作性能，从而成为电子设计师构建高可靠性和高效率电路的理想选择。