描述：表面贴装型-N-通道-20V-9.5A（Ta）-1.5W（Ta）-8-SO
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产品参数
属性参数值
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9 毫欧 @ 13.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）60nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
功率耗散（最大值）1.5W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装8-SO
SI4466DY-T1-E3 产品概述
一、概述
SI4466DY-T1-E3 是一款由 VISHAY（威世）制造的高性能 N 通道 MOSFET，采用 8-SOIC 表面贴装封装。该器件以其优越的电气性能和广泛的工作温度范围，适用于各种电子应用，如电源管理、开关电源、马达驱动和自动化系统。
二、关键参数
封装与外形尺寸
- 该 MOSFET 采用 8-SOIC 封装，宽度为 3.90mm（0.154"），支持贴片安装，适合现代电子产品的小型化设计。
电气特性
- 漏源极电压（Vdss）：最大可达 20V，适合低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下，器件可支持最高 9.5A 的连续工作电流。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 4.5V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 9 毫欧（@ 13.5A），在电路中表现出较低的功耗和高效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的阈值电压最大为 1.4V（@ 250µA），使得其在较低的驱动电压下即可导通，增强了设计的灵活性。
- 栅极电荷（Qg）：在 4.5V 的栅极驱动下，最大栅极电荷为 60nC，反映了器件在开关频率较高的应用中，能够达到更快的响应时间。
热性能
- 功率耗散：器件的最高功率耗散为 1.5W（Ta），在合理的热管理条件下，能够实现有效的热管理，确保系统的稳定运行。
- 工作温度：该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其在极端环境下也能够可靠工作，适合汽车和工业设备等高要求应用。
最大栅极源电压（Vgs）：该器件的最大 Vgs 为 ±12V，为电路设计提供了额外的设计空间，避免了潜在的过压损坏风险。
三、应用场景
SI4466DY-T1-E3 的优越特性使其适用于多种应用场景，具体包括：
电源管理：MOSFET 可用于 DC-DC 转换器和线性稳压器中，从而高效地控制能量传输，提高整体电源效率。
马达驱动：其较高的电流承载能力和低导通电阻使其适合用于马达驱动电路，确保马达起动和运行时的电流稳定。
负载开关：电子产品中常见的开关应用如灯光控制和消耗性负载控制，SI4466DY-T1-E3 的高效表现和低功耗特性，使其成为理想的选择。
工业自动化：在需要控制功率的负载和应用，如工厂自动化设备中，该 MOSFET 可用于驱动继电器、阀门和其他执行器。
四、总结
SI4466DY-T1-E3 是一款可靠、性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和优秀的电气特性，为广泛的电子应用提供了解决方案。无论是在电源管理、马达驱动还是工业自动化领域，SI4466DY-T1-E3 都表现出色，能够满足现代电子设计对性能和效率的高要求。选择该器件，将为产品可靠性与市场竞争力提供强有力的支持。