描述：MOSFET RECOMMENDED ALT SI41
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2
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最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.451
100+
0.281
1250+
0.245
产品参数
属性参数值
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）23 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）10nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
功率耗散（最大值）1.31W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装8-SO
产品概述：SI4346DY-T1-GE3
一、基本信息
SI4346DY-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 8-SOIC 封装。这款 MOSFET 在表面贴装（SMT）方面表现优越，使其在工业自动化、消费电子和电源管理等领域得到了广泛应用。
二、关键参数
封装和尺寸：
- 封装类型：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 尺寸紧凑，适合空间有限的电子设备。
电气特性：
- 漏源极电压（Vdss）：最大 30V，适用于低压功率控制电路。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下为 5.9A，能够满足中等电流应用的需求。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动下的最大值为 23 毫欧，在高电流（8A）时表现良好，确保低功耗和高效能。
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大为 2V @ 250µA，提高了开关控制的灵敏度。
- 栅极电荷（Qg）：最大值为 10nC @ 4.5V，表示在驱动过程中能够快速切换，降低开关损耗。
工作温度范围：
- 该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于恶劣环境下的应用，确保在极端条件下的可靠性。
功率耗散：
- 最大功耗为 1.31W @ 25°C，具有良好的热管理特性，可以在不同的工作条件下长期稳定运行。
栅极控制：
- 该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±12V，提供了灵活的偏置选择，适应不同的电路需求。
三、应用场景
SI4346DY-T1-GE3 MOSFET 的设计使其适用于多个应用场景，主要包括：
- DC-DC 转换器：在电压转化过程中，MOSFET 具有低的导通电阻，使得能量转换中损耗更少，提高转化效率。
- 电源管理：可用于电池供电的设备，优化系统功耗，延长电池使用寿命。
- 电机控制：在电机驱动电路中，MOSFET 可以用于开关控制，以实现高效能的电机速度控制。
- 负载开关：由于其优越的导通特性，适用于多种应用中的负载开关，控制开闭状态。
四、总结
SI4346DY-T1-GE3 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，结合了VISHAY 公司的先进技术与优良的电气性能，广泛适用于现代电子设备中的开关和放大应用。其低导通电阻、高耐压及宽工作温度范围，确保了在各种工业和消费领域的稳定性和可靠性。对于设计工程师而言，选择 SI4346DY-T1-GE3 可以大幅提升电路设计的整体性能，适应未来电子产品对高效能和可靠性的需求。