描述：场效应管(MOSFET) 2.8W 30V 3.9A 1个N沟道 SC-70-6(SOT-363)
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)58mΩ@10V,3.9A
功率(Pd)1.56W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)13pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)1.8pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
产品概述：SI1416EDH-T1-GE3 N沟道MOSFET
1. 概述
SI1416EDH-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足各种电子应用中对高效率、高可靠性和小型化的需求。该元件广泛适用于例如 DC-DC 转换器、电机驱动、功率开关和负载开关等领域。凭借其卓越的电气特性和优良的热性能，SI1416EDH-T1-GE3 成为现代电子设计中的理想选择。
2. 主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 连续漏极电流 (Id): 3.9A（在25°C时，冷却条件下可达到Tc）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.4V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 58mΩ @ 3.1A, 10V
- 最大功率耗散: 2.8W (在25°C时)
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 封装类型: SOT-363（表面贴装型）
3. 电气性能
SI1416EDH-T1-GE3 在电气性能方面提供了优异的特性：
- 漏源电压 (Vdss) 达到 30V，使其适应中到高电压应用。
- 连续漏极电流 (Id) 的额定值为 3.9A，充分满足对电流容量的需求，尤其在负载变化较大的情况下。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)) 为 1.4V，允许以较低的门电压进行高效控制，适合低电压的驱动电路。
- 导通电阻 (Rds(on)) 的低值（58mΩ）在额定条件下提供了低功率损耗，这在高效能的电力管理设计中具有重要意义。
4. 应用领域
SI1416EDH-T1-GE3 适用于多种应用场景，其中包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源设计中，特别是在 DC-DC 转换器中，可以实现高效率的能量转换。
- 电机驱动: 在无刷电机和步进电机驱动电路中，能够处理快速的开关操作，提高了效率和响应速度。
- 负载开关: 适合于各种负载开关应用，如移动设备和便携式电子产品中的电源控制。
5. 温度特性
该产品的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在极端环境下的可靠性，满足汽车电子、工业控制和航空航天等高温环境需求。这种耐高温的特性使其在严苛环境下仍能维持稳定的性能，保证系统的正常工作。
6. 设计考虑
在使用 SI1416EDH-T1-GE3 时，设计师应考虑其驱动电压为 2.5V 到 10V 的范围，以实现最佳的导通阻抗。同时，设计者在设计电路时应注意控制 Vgs 不超过 ±12V，避免对器件造成损害。
结语
总之，SI1416EDH-T1-GE3 N沟道MOSFET 是一款极具竞争力的电子元器件，凭借其高性能和小型化设计，在各类应用中具有广泛的适用性。无论是在电源管理、电机控制，还是在工业自动化等领域，SI1416EDH-T1-GE3 都能提供可靠的解决方案，帮助工程师实现高效能和高可靠性的电子设计。