SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3 产品概述

一、基本信息

SI1016CX-T1-GE3 是由威世（VISHAY）品牌制造的一款高性能场效应管（MOSFET），采用表面贴装型封装（SOT-563/SOT-666）。其特点是具有一个N沟道和一个P沟道的结构，适用于各种低电压、高效能的电子电路中，尤其是在逻辑电平驱动应用里表现突出。

二、技术参数

1. 封装与外形:

   • 该产品采用 SC-89-6 封装，具有紧凑的尺寸，便于高密度电路设计，适合现代电子设备的需求。SOT-563 和 SOT-666 的封装形式使得其在表面贴装（SMT）应用中具备良好的适应性。

2. 工作电压与电流:

   • 漏源极电压（Vdss）为 20V，表明该器件能够承受高达 20V 的 导通电压，非常适合于低压供电的场合。
   • 最大漏电流（Id）的额定值为 500mA，支持在广泛的工作条件下提供稳定的功率输出。

3. 导通电阻与开关特性:

   • 该MOSFET在 Vgs 为 4.5V、Id 为 500mA 时，导通电阻（Rds(on)）的最大值为 396毫欧。这一特性保证了其在导通时的低功耗，能够有效降低热量产生，从而提高了能效。
   • 在不同的栅源电压 Vgs 下，阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 1V @ 250µA，确保了器件在逻辑电平下可实现快速切换。

4. 栅极电荷特性:

   • 在 Vgs = 4.5V 时，栅极电荷（Qg）的最大值仅为 2nC，这使得该MOSFET在高频开关应用中具有极小的驱动损耗，尤其适合涉及快速开关信号的电路设计。

5. 输入电容:

   • 在 Vds 为 10V 的条件下，输入电容（Ciss）的最大值为 43pF。这一低输入电容特性使得器件能够更快速地响应输入信号，同时降低了控制电路的驱动负担。

6. 功率与温度范围:

   • 最大功率为 220mW，适合用于低功耗电路，并且器件的工作温度范围广泛，能够在 -55°C 到 150°C 的环境中稳定工作。这使得 SI1016CX-T1-GE3 能够满足各种恶劣工作条件下的电路需求。

三、应用场景

SI1016CX-T1-GE3 由于其优异的电性能，广泛应用于：

• 开关电源: 适用于各种开关电源设计，提供高效的电源管理解决方案。
• 逻辑电平转换: 可以被用于电压级别的转换和信号传输，适合多种逻辑电平的匹配应用。
• 电机驱动: 能够在电机控制系统中提供稳定的开关控制，适合驱动小型电机或执行器。
• 消费电子: 适合于各种消费类电子产品中，比如智能家居设备、便携式设备等。
• 汽车电子: 在汽车电子控制单元中，可以提供稳定的驱动和控制信号，适合传感器和执行器的控制。

四、总结

SI1016CX-T1-GE3 作为一款高效能、低功耗的逻辑电平门MOSFET，以其独特的优点满足了现代电子设备的广泛需求。凭借其卓越的电气性能和灵活的应用潜力，它是电子设计师在开发新一代智能设备时的理想选择。选择SI1016CX-T1-GE3，将助力高效能电子产品的实现，推动技术的进步与创新。