SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI1013CX-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世）旗下推出的高性能 P 沟道 MOSFET，具有卓越的电气性能和可靠的工作特性。该产品封装为 SC-89 型，专为表面贴装应用设计，适用于多种电子电路中的开关和放大放置。凭借其较大的漏极电流能力、低导通电阻和高工作温度范围，SI1013CX-T1-GE3 在电源管理、驱动电路、信号调理和负载开关等应用场景中表现出色。

主要参数

1. 工作电压和电流能力：

   • 漏源电压（Vdss）为20V，使其适用于低压和中压应用。
   • 连续漏极电流（Id）可达到450mA，能够满足大多数小型设备的驱动需求。

2. 导通电阻特性：

   • 在不同的Id和Vgs条件下，该MOSFET展现出最大导通电阻（Rds(on)）为760毫欧（在400mA和4.5V时）。这个低导通电阻特性使其在开关应用中具有更高的工作效率，降低功耗和热量产生。

3. 栅极驱动特性：

   • 该器件需要的驱动电压（Vgs）非常适中，达到最大 Rds(on) 的条件为4.5V，适合各类控制电路。
   • 栅极电荷（Qg）最大值为2.5nC（在4.5V下），意味着其开关特性迅速，有助于减小开关损耗。

4. 输入电容：

   • 在10V的条件下，输入电容（Ciss）最大值为45pF，有助于提高信号响应速度，同时降低频率响应损失。

5. 阈值电压特性：

   • 在250µA下，Vgs(th)（阈值电压）最大值为1V，确保MOSFET在低电压环境下仍能可靠工作。

工作温度和功率特性

• 工作温度范围为-55°C至150°C，适应了极端环境条件的电气应用。这个宽广的温度范围使其特别适用于航空航天、汽车电子及工业控制等领域。
• 最大功率耗散（Pd）为190mW（在环境温度下），可确保在各种工作条件下保持稳定运行。

应用场景

SI1013CX-T1-GE3 广泛应用于以下领域：

• 电源管理：作为开关元件，控制电源的开启和关闭，确保高效的电源转换与分配。
• 驱动电路：用于驱动 LED、马达和继电器等负载，提供快速开关和稳定的电流输出。
• 信号调理：用于小信号放大和开关，确保信号在各种负载条件下的完整性。
• 低功耗设备：由于其低功耗特性，适合便携和低功耗电子设备的应用，如移动电话及可穿戴设备。

总结

总之，SI1013CX-T1-GE3 是一款性能卓越、可靠性强的 P 沟道MOSFET，凭借其优良的电气特性和适用范围，能够为各种电子应用提供理想的解决方案。无论是电源管理、电机驱动还是信号调理，该产品都能够满足设计工程师对高性能元件的需求。随着电子技术的不断发展与需求的增加，SI1013CX-T1-GE3仍将是研发和生产过程中的重要器件之一。