SCTW100N65G2AG 产品概述
产品简介
SCTW100N65G2AG 是一款高性能的 N 通道氮化硅 (SiC) 功率 MOSFET,具有650V的漏源电压(Vdss)和100A的连续漏极电流(Id)。作为一款汽车级别的器件,符合 AEC-Q101 认证标准,旨在满足高可靠性和高效率的应用需求。
关键特性
- N 通道技术:该 MOSFET 是使用先进的 SiC 技术制造,具备低导通电阻(Rds(on))和优越的热性能。这使得 SCTW100N65G2AG 在高负载电流下,能够有效降低功耗和提高可靠性。
- 漏源电压 (Vdss):适合于650V的应用场景,涵盖了大部分中高压电源转换器、逆变器及电动汽车动力系统等应用,确保在高电压环境中仍具备良好的工作稳定性。
- 导通电阻 (Rds(on)):在 Vgs = 18V 和 Id = 50A 时,导通电阻最大值为 26 毫欧,意味着该器件可提供高效的电流传输,降低热损耗,提升系统的整体效率。
- 栅极电压 (Vgs):本器件的驱动电压最大值为 +22V 和 -10V,使其在不同的控制电压下均具备良好的响应速度和稳定性。该特性使得 SCTW100N65G2AG 能够适配多种驱动电路设计,从而在不同的工作条件下保持高效控制。
- 栅极电荷 (Qg):当 Vgs 为 18V 时,栅极电荷最大值为 162nC,显示出其在切换过程中所需的驱动能力。这一特性对于高频开关应用尤为重要,能够帮助设计者优化开关频率和整体效率。
- 工作温度范围:该MOSFET能够在-55°C至200°C的广泛温度范围中稳定工作,适应各种恶劣环境,特别适合于汽车电子和航空航天等高温场合。
应用领域
SCTW100N65G2AG 的应用场景十分广泛,主要包括:
- 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):在电池管理系统、逆变器和电动驱动系统中,作为高效的开关组件,帮助提高电能转换效率和扭矩输出。
- 超高效电源转换器:在工业电源、机器人、电力变换、无线充电等应用中,可以有效提高功率密度和电能转换效率。
- 可再生能源系统:如光伏逆变器和风能发电系统,能够在高电压和高频率下提供可靠的电能转换。
技术规格
- 漏源电压 (Vdss): 650V
- 连续漏极电流 (Id): 100A
- 最大 Rds(on): 26 毫欧 (在 50A@18V 时)
- 输入电容 (Ciss): 3315pF @ 520V
- 功率耗散 (Pmax): 420W (在结温Tc条件下)
- 封装类型: TO-247-3 (HiP247™)
结论
SCTW100N65G2AG 是意法半导体(ST)推出的一款高效能汽车级 SiC MOSFET,凭借其低导通电阻、高温适应性和广泛的应用范围,成为现代电源管理和电动汽车应用的重要选择。无论是对能效的严格要求,还是对高可靠性的期待,SCTW100N65G2AG 都能以其优越的性能满足挑战。