型号:

MMBT3906FA-7B

品牌:DIODES(美台)
封装:X2DFN08063
批次:2年内
包装:编带
重量:0.01g
其他:
MMBT3906FA-7B 产品实物图片
MMBT3906FA-7B 一小时发货
描述:三极管(BJT) 435mW 40V 200mA PNP DFN(1x0.6)
库存数量
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最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.534
10000+
0.499
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)435mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1.0V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA,5.0mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:MMBT3906FA-7B PNP 硅三极管

一、引言

在现代电子器件中,三极管作为基础的放大和开关元件,广泛应用于各种电路中。MMBT3906FA-7B是一款高性能的PNP型硅三极管,凭借其优秀的电性能和可靠的工作环境,广泛用于低功率放大和开关应用。该产品由知名品牌DIODES(美台)制造,具有诸多优越的技术参数,适用于多种电子设备。

二、基本参数

MMBT3906FA-7B三极管具备以下核心参数:

  • 额定功率: 435mW
  • 集电极电流 (Ic): 最大值 200mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大值 40V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大值 400mV @ 5mA、50mA
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值 50nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值 100 @ 10mA,1V
  • 频率 - 跃迁: 高达 300MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装类型: X2-DFN0806-3

三、特性分析

  1. 功率与电流承受能力: MMBT3906FA-7B的额定功率为435mW,使其能够在多种低功率应用中发挥作用。其集电极电流Ic最大可达200mA,适用于需要较大电流的线路控制和放大应用。

  2. 电压承受能力: 本器件的集射极击穿电压为40V,适合用于中等电压的电路设计。这个特性使三极管在多个应用场景下都能保持稳定性能。

  3. 饱和特性: MMBT3906FA-7B在较小的集电极电流下(如5mA和50mA)表现出较低的饱和压降(最大为400mV),这使得在开关应用中更为高效,能够提供更小的功耗和更高的信号衰减。

  4. 高频特性: 跃迁频率高达300MHz,表明该三极管能够在高频信号环境下保持良好的性能,适用于射频放大和高速开关电路。

  5. 使用温度范围广: 工作温度范围是-55°C到150°C,适合不同环境条件下的应用,包括汽车电子、工业控制等对温度有严格要求的场合。

四、应用领域

MMBT3906FA-7B三极管因其优良的性能和广泛的适用性,常见于以下应用领域:

  • 音频放大器: 由于其出色的增益特性和频率响应,该器件常被用于音频信号的放大。
  • 开关电路: 在低侧开关或控制电路中,MMBT3906FA-7B可以有效地控制负载的通断。
  • 射频应用: 由于其高频特性,该三极管可用于射频信号的处理与放大。
  • 传感器接口: 在传感器信号的调理和放大中,能够提供准确的信号恢复。

五、封装与安装

MMBT3906FA-7B采用3-XFDFN封装,具体为X2-DFN0806-3型,其小巧的尺寸及表面贴装设计适合现代电子设备的高度集成化需求。这种设计不仅可以提高电路板的空间利用率,还便于自动化生产。

六、结论

总体而言,MMBT3906FA-7B是一款性能优越、适应性广泛的PNP型硅三极管,适合应用于多种低功耗和中等电压的电路。其稳健的电流增益、低饱和压降和高频特性,使得它在现代电子设计中具有很高的实用价值。选择MMBT3906FA-7B,无疑是确保电路性能与稳定性的明智之选。