型号:

IRLML2402TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23(Micro3)
批次:5年内
包装:编带
重量:0.035g
其他:
IRLML2402TRPBF 产品实物图片
IRLML2402TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 540mW 20V 1.2A 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
2214
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.605
200+
0.39
1500+
0.339
3000+
0.299
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@4.5V,0.93A
功率(Pd)540mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.6nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)110pF
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@16V
工作温度-55℃~+150℃

IRLML2402TRPBF 产品概述

IRLML2402TRPBF 是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),该器件在业界被广泛应用于低电压和中等电流电路中。其在小型化和高效率解决方案方面的优势,使其成为便携式电子产品、LED驱动器、开关电源及其他低功耗应用的理想选择。

主要特性

  • 漏源电压(Vdss): 最大可承受20V的漏源电压,使其适合用于多种低压应用场景。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C环境条件下,该器件的连续漏极电流可达1.2A,这为设计提供了灵活性与稳定性,能高效驱动负载。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 700mV@250µA,确保该MOSFET能够在较低的控制电压下可靠地启动,适合电池供电的应用。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在4.5V的栅-source电压下,最大导通电阻为250mΩ@930mA,这意味着在操作时可以有效地降低功耗和热量产生,提高整体效率。
  • 功率耗散: 该器件的最大功率耗散为540mW(在25°C环境下),使其适合在发热量较小的应用中使用。
  • 工作温度范围: 支持广泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,适应各种环境条件,尤其在恶劣工作环境中的可靠性。
  • 封装类型: 采用SOT-23封装,这种小型表面贴装型设计有利于提高电路板密度并减少占用空间。

应用场景

IRLML2402TRPBF 具备众多应用优势,特别适用于以下场景:

  1. 便携式充电器:由于其高效的电流控制能力和低功耗特性,该MOSFET被广泛应用于便携式充电器中,能够有效地转换和控制电源。

  2. LED驱动器:在LED照明应用中,其快速开关响应和高效率使其成为理想选择,能够有效驱动LED以实现精准的亮度控制。

  3. 开关电源: 在DC-DC转换器中,IRLML2402TRPBF可用作高效开关,帮助电路实现稳定的电压转换。

  4. 自动控制系统: 由于其优异的低功耗特性和较高的热稳定性,该MOSFET适合用于各种自动化控制应用,如电机驱动和传感器控制等。

结论

总的来说,IRLML2402TRPBF 是一款强大、可靠的N沟道MOSFET,具备出色的电气性能和广泛的应用潜力。凭借其高效能、低导通电阻、紧凑尺寸及广泛的工作温度范围,成为现代电子设计中不可或缺的重要组件之一。无论是用作开关还是放大器,该器件都能为各类创新电子设备提供优异的性能支持,是追求高效节能设计工程师们的理想选择。