描述：场效应管(MOSFET) 143W 100V 56A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
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产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）56A
栅源极阈值电压4V @ 100uA
漏源导通电阻13.9mΩ @ 38A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）143W
类型N沟道
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）13.9 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）81nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3031pF @ 50V
功率耗散（最大值）143W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
IRFR4510TRPBF 产品概述
概述
IRFR4510TRPBF 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其具有卓越的电气特性和优良的热性能，适用于各种需要高功率处理和高效率的应用场景。此器件的卓越性能使其广泛应用于电源管理、逆变器、电动汽车和工业控制等领域。
主要特性
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：IRFR4510TRPBF 的漏源电压为 100V，这使其非常适合中等电压应用，能够处理较高的电流而不会遭遇击穿。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 的连续漏极电流为 56A，显示出其能够在高负载条件下运行的能力。它同样支持在较高温度条件下有限度的电流处理。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：阈值电压为 4V @ 100µA，确保在合理的驱动电压下能够顺利切换。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动电压下，导通电阻为 13.9mΩ @ 38A，表示其在导通状态下的功率损耗极低，从而提升整体效率。
热性能：
- 最大功率耗散：IRFR4510TRPBF 的最大功率耗散能力高达 143W（在 Tc=25°C 下），意味着其能够有效地处理从负载产生的热量，适应各种严苛环境。
- 工作温度范围：该 MOSFET 可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内可靠工作，确保其在极端环境下的稳定性与耐用性。
封装与安装：
- IRFR4510TRPBF 采用 D-Pak（TO-252-3）封装，具有良好的散热性能，适合于表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和高密度电路板的应用。
应用领域
由于其卓越的性能，IRFR4510TRPBF 广泛应用于以下领域：
- 电源管理：用于开关电源、DC-DC 转换器等，提升转换效率，降低热损耗。
- 电动汽车：在电动汽车的驱动电路中，能够有效管理电力转换与分配，具有关键作用。
- 工业控制：应用于电源开关与控制系统中，确保设备的高效运行。
- 逆变器：在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）中，提供高效的能量转换。
总结
IRFR4510TRPBF 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，其优异的电气特性和热特性使其在多个应用场景中表现出色。搭载英飞凌公司先进的半导体技术，IRFR4510TRPBF 在电力控制和管理领域提供了理想的解决方案，为设计者在实现高效能和高可靠性中提供了卓越的选择。无论是在电源转换、高功率应用，还是在复杂的电动汽车驱动系统中，IRFR4510TRPBF 都是一款值得信赖的核心元件。