产品概述:IRF7842TRPBF MOSFET
IRF7842TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,专为高效能应用设计,具有优越的电气特性和广泛的工作温度范围。它是英飞凌(Infineon)公司的一款优质产品,主要面向电源管理、开关电源、驱动电机、LED照明以及其他需要高效率开关控制的应用场景。
关键参数与特性
漏源电压(Vdss): IRF7842TRPBF的漏源电压高达40V,适合用于大多数低中压应用。其高的耐压特性使得它在设计中具有良好的安全性和灵活性。
连续漏极电流(Id): 该元件在25°C环境温度下,能够承载最大18A的连续漏极电流,能够满足高电流应用的需求。这使得IRF7842TRPBF在高负载情况下表现优异。
导通电阻(Rds(on)): 在10V及17A的条件下,IRF7842TRPBF的最大导通电阻仅为5毫欧,这为降低功耗和发热提供了良好的条件,提升了系统的整体效率。
驱动电压(Vgs): IRF7842TRPBF支持多种驱动电压选项,在4.5V和10V下表现优异,能够适应多种驱动电路的需求。此外,其栅极阈值电压(Vgs(th))的最大值为2.25V,意味着其在较低的栅极电压时即可开启,有利于减少控制电路的功耗。
栅极电荷(Qg): 栅极电荷为50nC @ 4.5V,较低的栅极电荷特性使得开关速度快,适用于高频开关应用,减少了在快速开关过程中由于充电和放电造成的能量损耗。
热管理: IRF7842TRPBF的功率耗散能力高达2.5W,并且其工作温度范围从-55°C到150°C。这一宽温度范围确保在极端环境下的可靠性,适合于军事、航空航天等特殊应用。
封装形式: 该器件采用8-SO封装,外形紧凑,方便进行表面贴装,适合现代电子设备的小型化需求。
应用场景
IRF7842TRPBF因其众多优良的特性,被广泛应用于:
总结
IRF7842TRPBF是一款在其类别中性能优越的N沟道MOSFET,具有40V的漏源电压、18A的持续电流、极低的导通电阻及良好的工作温度范围,适合于各种高效能电源应用。无论是在电动机控制、高频开关还是电源管理领域,IRF7842TRPBF都能为设计者提供可靠的解决方案,帮助他们提升产品的整体性能和能效。在选择符合您需求的MOSFET时,IRF7842TRPBF无疑是一个值得考虑的优秀选择。