型号:

IRF1405PBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220AB
批次:21+
包装:管装
重量:2.75g
其他:
IRF1405PBF 产品实物图片
IRF1405PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 330W 55V 169A 1个N沟道 TO-220AB
库存数量
库存:
52
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.02
100+
2.41
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)169A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.3mΩ@10V,101A
功率(Pd)330W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)260nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)5.48nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

IRF1405PBF 产品概述

产品名称: IRF1405PBF
类型: N 通道 MOSFET
制造商: Infineon(英飞凌)
封装: TO-220AB

一、基本特性

IRF1405PBF是一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),特别设计用于要求高功率和高电压的应用场合。该元器件具有优越的电气特性,特别是在开关速度和导通电阻方面,有助于提升电源转换效率和热管理性能。

  • 漏源电压 (Vdss): 55V
  • 连续漏极电流 (Id): 169A(在结温Tc条件下)
  • 最大导通电阻 (Rds(on)): 5.3 mΩ (在10V和101A条件下)

二、电气参数

IRF1405PBF在各类电气参数中表现出色,适用于各类高功率电路设计。

  • 驱动电压: 为远程控制和高电流应用提供的10V驱动电压,使得MOSFET可以迅速进入导通状态,降低开关损耗。
  • 导通电阻: 该元器件在高电流下的低导通电阻意味着在长时间的电流负载下,发热量将保持在较低水平,从而提升电路的稳定性。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值4V(在250µA)进一步保证了元件在低电压驱动下的可靠操作。

三、驱动特性

IRF1405PBF的栅极电荷 (Qg) 最大为260nC(在10V条件下),这标志着该元器件在切换时能提供优秀的驱动效率,适合快速开关电路应用。这种低栅极电荷值有助于降低驱动电路的功耗,适合各种变换器和逆变器设计。

四、输入和输出电容

其最大输入电容 (Ciss) 为5480pF(在25V),表明其对高速信号变化的响应能力,尤其适合于其中大电流和高开关频率的应用。这样的特性能够支持在高频应用中的稳定性和效率,尤其在高频开关电源中尤为关键。

五、功率耗散及工作温度

IRF1405PBF的最大功率耗散为330W(在结温Tc条件下),使其可以在严格的环境条件下运行,而不会影响性能。此外,该产品的工作温度范围广(-55°C ~ 175°C),保证了其在严酷的工业、军事及航空航天环境中的可靠性。

六、应用场景

IRF1405PBF广泛适用于以下领域:

  1. DC-DC 变换器: 由于其高效率和低发热性能,在高功率DC-DC变换器中是理想的选择。
  2. 电动机驱动器: 适用于电机控制和驱动中,能够承受高电流并减少热损失。
  3. 电源管理系统: 在高功率电源管理和分配系统中,IRF1405PBF提供了出色的导通性能,确保系统的高效性。
  4. 电池管理系统: 作为电池开关和均衡装置的重要组成部分,确保在充放电过程中有良好的电气性能。

七、总结

总的来说,IRF1405PBF是一款具有高性能特点、广泛应用潜力的N通道MOSFET。通过其强大的电气特性及可靠的工作参数,使其成为各种高效能电源和快速开关设计中不可或缺的部分,适合于现代电子设备所需的高效、稳定及耐用的解决方案。无论是在提升能效还是降低发热方面,IRF1405PBF都能提供卓越的性能,满足用户在高负荷、高功率应用中的需求。