型号:

FZT758TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:24+
包装:编带
重量:0.216g
其他:
FZT758TA 产品实物图片
FZT758TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 400V 500mA PNP SOT-223
库存数量
库存:
2429
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.51
1000+
1.4
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)400V
功率(Pd)1.6W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)50@100mA,5V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:FZT758TA PNP三极管 (BJT)

一、产品简介

FZT758TA是一款高性能的PNP型双极晶体管 (BJT),采用SOT-223封装,专为需要高电压和高电流操作的应用而设计。其额定功率为2W,最高集电极电流(Ic)可达500mA,适合广泛的功率放大和开关电路应用。其集射极击穿电压(Vce)高达400V,使其成为高压电子设备和电源管理系统的理想选择。

二、主要参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 额定功率:2W
  • 集电极电流(Ic):最大500mA
  • 集射极击穿电压(Vce):最大400V
  • Vce饱和压降:500mV @ 10mA,100mA
  • 截止电流(Ic(max)):100nA
  • 直流电流增益(hFE):最小40 @ 200mA,10V
  • 频率 - 跃迁:50MHz
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装类型:TO-261-4 / TO-261AA

三、性能特点

FZT758TA的设计旨在提供优良的可靠性和稳定性。它的高击穿电压使其能够在高压应用中安全工作。例如,在电源转换器和逆变器中,FZT758TA可以有效地处理大电流和高电压的状态,确保系统的稳定性与安全性。同时,该器件的低饱和压降和高增益特性使其在对效率要求极高的场合中表现尤为出色,比如电机驱动和信号放大应用。

四、应用场景

FZT758TA的应用范围广泛,特别适合以下领域:

  1. 电源管理:在开关电源、线性稳压电源和电池管理系统中,FZT758TA可以充当关键的开关元件和放大元件。
  2. 信号放大:该三极管也可用于小信号放大器,为音频和射频信号传输提供增强。
  3. 开关电路:适合用于各种开关应用,包括继电器驱动和控制电路。
  4. 汽车电子:能够在严格的温度和电压条件下工作,FZT758TA非常适合用于汽车电气系统,提升汽车电子设备的效率和可靠性。
  5. 工业控制:由于其优越的工作温度范围,该器件适合用作工业设备中的执行器和传感器接口。

五、总结

FZT758TA是一款性能优越、功能多样的PNP三极管,凭借其高额定功率、高集电极电流和宽广的工作温度范围,它在电子设计中具有极高的灵活性与适用性。作为DIODES(美台)品牌推出的精密元件,FZT758TA不仅完善了电源管理和信号放大设计的需求,更在多领域应用中彰显了其卓越的品质。无论是在消费电子、汽车、工业还是通信设备中,FZT758TA都能够为设计师提供可靠的解决方案,助力更高效、更稳定的电路设计。

如果您对FZT758TA有更多深入的技术需求或者具体的应用建议,欢迎随时与我们联系,获取更多的信息和支持。