FDMC6675BZ

FDMC6675BZ 产品概述

FDMC6675BZ 是一款由安森美（ON Semiconductor）制造的高性能 P 通道 MOSFET，采用创新的制造技术与优化的设计，旨在为多种应用过程中的高效能电源管理提供支持。该器件在电力电子系统中起着关键的作用，尤其适合用于电源开关、DC-DC 转换器及其它高频开关电路中。

主要特点与规格

1. FET 类型与技术：FDMC6675BZ 是 P 通道的金属氧化物场效应管（MOSFET），因其优秀的导通性能与低导通电阻而为电力管理应用广泛使用。

2. 漏源电压（Vdss）：此器件的最大漏极-源极电压为30V，适合于低压电源管理应用。在多种电路环境下，其高电压耐受性确保了稳定性和安全性。

3. 电流能力：在25°C环境下，该器件的连续漏极电流（Id）可达9.5A，且在温控条件（Tc）下最大可达20A，这使其能够处理较大的负荷，满足不同功率需求的应用。

4. 导通电阻（Rds On）：在Vgs为10V时，FDMC6675BZ展示出最高14.4毫欧的导通电阻（@9.5A），在大电流应用中表现出良好的热性能和能效。

5. 栅极电压参数（Vgs）：该器件的驱动电压无论在最大（±25V）还是最小（4.5V和10V）都具备灵活性，可满足不同电压条件的工作需求。

6. 工作温度范围：FDMC6675BZ 可以在-55°C至150°C的工作温度范围内运行，极大的提高了其在恶劣环境条件下的适用性。

7. 封装与安装：该MOSFET以8-MLP（3.3x3.3mm）形式封装，适合表面贴装（SMD）技术，能够有效节省空间并支持高密度电路设计。

8. 电气特性：包括最大栅极电荷为65nC（@10V），输入电容（Ciss）最大为2865pF（@15V），这些参数共同支持其在高频应用中维持优异的开关速度及效率。

9. 功率耗散：FDMC6675BZ 具有最大功率耗散能力2.3W（在25°C环境）和36W（在温控条件）能力，可处理持续的热负荷，这意味着在高功率应用中可以有效地管理发热。

应用领域

FDMC6675BZ 适用于广泛的应用领域，包括但不限于：

• DC-DC 变换器：在电源转换和管理中担任开关元件，有助于提高能效。
• 电池管理系统：为可再生能源系统或电动汽车提供电源切换解决方案。
• 开关电源：用于高效的电源供应和分配，提高设备整体性能。
• 工业设备：适用于各种工业自动化控制系统，增强系统的可靠性与稳定性。

总结

FDMC6675BZ 是一款具有优越电气性能、宽工作温度范围及高可靠性的 P 通道 MOSFET。无论是在消费电子、工业应用还是电动车辆技术中，它的低导通电阻、高电流能力和广泛的电压适应性，都使其成为电力电子设计中的理想选择，能够帮助工程师在他们的设计中优化效率与性能。通过充分利用 FDMC6675BZ 的特点和优势，设计者能够开发出更高效、更可靠的电子产品。