型号:

DTA114EKAT146

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SMT3
批次:24+
包装:编带
重量:0.032g
其他:
DTA114EKAT146 产品实物图片
DTA114EKAT146 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置 SOT-346
库存数量
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179
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.101
3000+
0.08
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@10mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA
输入电阻10kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

DTA114EKAT146 产品概述

概述

DTA114EKAT146 是一款由日本著名半导体制造商 ROHM(罗姆)生产的数字晶体管,适用于各种电子电路应用。该晶体管属于 PNP 型预偏压晶体管,具备优良的性能参数,特别是在小功率信号放大与开关应用中表现突出。其额定功率为 200mW,最大集电极电流(Ic)为 50mA,适合需要低功耗和高效能的电路设计。

基本参数

1. 理论性能:

  • 额定功率:200mW,这一功率范围使得该晶体管非常适合小型便携电子设备如手机、传感器及其他低功耗设备。
  • 集电极电流(Ic):最大可达 50mA,支持多种应用场景,能够满足普通信号放大或开关控制的需求。
  • 集射极击穿电压(Vce):最高可达 50V,确保在较高电压条件下仍能稳定工作,适合大多数常见电源电压的应用。

2. 饱和压降与电流增益:

  • Vce 饱和压降:在 Ic 为 500µA 和 10mA 时,最大饱和压降为 300mV,提供良好的开关效率。
  • DC 电流增益(hFE):在 5mA 和 5V 条件下,最小 hFE 为 30,说明其具有良好的放大能力。

频率特性

DTA114EKAT146 的跃迁频率为 250MHz,这使得其能够在高频应用中保持良好的性能,如 RF 放大器和开关电源模块。在数字电路中,较高的频率特性对于取样和开关速度至关重要,因此该晶体管可广泛应用于数据通信、时钟生成及脉冲信号处理等领域。

设计与安装

DTA114EKAT146 的安装类型为表面贴装型(SMD),采用封装形式为 SMT3,兼容 TO-236-3、SC-59 和 SOT-23-3 封装。这种封装方案允许其在大规模电路板上进行自动化贴装,提高了生产效率和电路的可靠性。

电阻器应用:

  • 基极电阻(R1):10 kOhm
  • 发射极电阻(R2):10 kOhm

合理配置基极与发射极电阻有助于稳定工作点,改善晶体管的高频响应,降低信号失真,并确保优化的增益。

应用场景

DTA114EKAT146 特别适合用于以下应用:

  • 信号放大:可以作为低功率放大器,用于音频放大、传感器输出恢复等。
  • 开关控制:在电子开关、继电器驱动、灯光控制系统等场合均能有效应用,通过电子控制实现安全性和高效能。
  • 数码设备:在各种数码设备(如计数器、显示器驱动电路)中扮演关键角色,尤其在要求低功耗和微型化设计的应用中大放异彩。

结论

总的来说,DTA114EKAT146 是一款性能卓越、适应性强的数字晶体管,凭借其高频特性、合理的功率等级及小巧的封装设计,成为现代电子设计中不可或缺的一部分。设计工程师在选择该器件时,可以充分考虑其在高频信号处理、小功率电压控制和数字电路中的广泛应用潜力。ROHM 作为全球知名的半导体制造商,其产品的可靠性与性能得到了业界的广泛认可,DTA114EKAT146 将是电子工程师理想的选择。