描述：表面贴装型-N-通道-80V-10A（Ta）-72A（Tc）-2.6W（Ta）,-136W（Tc）-PowerDI5060-8
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产品参数
属性参数值
封装/外壳8-PowerTDFN
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）80V
栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Ta），72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）17 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）34nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1949pF @ 40V
功率耗散（最大值）2.6W（Ta）, 136W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装PowerDI5060-8
DMTH8012LPS-13 产品概述
产品简介
DMTH8012LPS-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用表面贴装型的 PowerDI5060-8 封装。该器件专为对开关和功率管理应用进行优化，提供出色的电流处理能力和低导通电阻，适合在各种严苛环境中使用，特别适合电源转换、电动机驱动和其他高电流应用。
关键特性
- 漏源极电压 (Vdss): 80V
- 连续漏极电流 (Id): 10A（在环境温度为25°C时），高达72A（在冷却条件下）
- 栅源电压 (Vgss): ±20V
- 最大功率耗散: 2.6W（在环境温度25°C），136W（在冷却条件下）
- 工作温度范围: -55°C 到 175°C（结温TJ）
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为17毫欧，经过12A的电流，并在10V的栅电压下测试
- 驱动电压: 4.5V时能够达到最佳的 Rds(on)，可选择10V以获得更低的导通电阻
- 栅极电荷 (Qg): 最大值34nC @ 10V，具有较低的开关损耗特性
- 输入电容 (Ciss): 最大值1949pF @ 40V，具有良好的高速开关能力
产品应用
DMTH8012LPS-13 具有广泛的应用场景，包括：
- 电源管理: 作为 DC-DC 转换器中的开关元件，尤其适用于高效能的电源设计。
- 电动机驱动: 可用于驱动小型电动机的控制电路，因其高电流承载能力及稳定性。
- 负载开关: 在智能家居和工业控制系统中，可作为负载开关，用于启停控制。
- 功率放大器: 在 RF 应用中， DMTH8012LPS-13 也适合做为功率放大器的输出段。
- LED驱动电路: 适合用于高亮度LED驱动电路中，有助于提高驱动效率。
封装与安装
DMTH8012LPS-13 的 PowerDI5060-8 封装设计，结合了紧凑的尺寸和高导热性能，可以有效降低热管理方面的压力。该表面贴装型的设计能够简化电路板的布局，有助于提高组装效率。其高温工作特性，更加确保设备在恶劣环境下的可靠性。
总结
DMTH8012LPS-13 N 通道 MOSFET 将强劲的性能与优良的热管理设计相结合，是现代高效电源系统及驱动方案中的理想选择。凭借其低导通电阻、高电压与电流特性，以及广泛的应用场合，成为了市场上具有竞争力的产品。无论是在消费电子、工业设备还是汽车应用中，DMTH8012LPS-13 都能够提供可靠的解决方案。选择 DMTH8012LPS-13，我们正是选择了性能、可靠性与灵活性的结合，为下一个项目的成功奠定基础。