型号:

DMP3056LSS-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:2年内
包装:编带
重量:0.295g
其他:
DMP3056LSS-13 产品实物图片
DMP3056LSS-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 7.1A 1个P沟道 SOP-8
库存数量
库存:
5296
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.452
2500+
0.415
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@4.5V,5.0A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13.7nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)722pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)92pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

DMP3056LSS-13 产品概述

DMP3056LSS-13 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由美台(Diodes Incorporated)生产,专为需要高开关效率和低功耗损耗的应用设计。这款元器件以其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路中,如电源管理、负载开关和信号调节等领域。

主要规格

  1. 漏源电压(Vdss): DMP3056LSS-13 的最大漏源电压为 30V,符合绝大多数低到中电压应用的需求。
  2. 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,该 MOSFET 的连续漏极电流可达到 7.1A,使其适合用于较高电流的负载场景。
  3. 栅源阈值电压(Vgs(th)): 此器件的栅源阈值电压为 2.1V @ 250µA,提供了较高的驱动灵活性,适用于多种控制信号水平。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 在 6A 和 10V 的条件下,其导通电阻为 45mΩ,确保了在高电流负载下的低功耗和低发热。
  5. 最大功率耗散(Pd): 在 25°C 时,DMP3056LSS-13 的最大功率耗散为 2.5W,适合大部分标准电源电路的需要。
  6. 驱动电压: 设备的驱动电压支持在 4.5V 至 10V 范围内变化,兼容性强,便于与多种控制器和信号源相结合。
  7. 温度范围: DMP3056LSS-13 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,提供了在极端环境条件下可靠工作的能力。

封装与安装类型

DMP3056LSS-13 采用 8-SOP(小型表面贴装封装),封装尺寸为 0.154"(3.90 mm 宽),使得其在电路板的空间利用上更加高效。表面贴装的设计还简化了与自动化焊接设备的兼容性,提高了生产效率。

应用场景

DMP3056LSS-13 由于其出色的电气特性,适用于以下典型应用:

  • DC-DC 转换器:用于开关稳压电源、同步整流等场合,提高电源转换效率。
  • 负载开关:可用于控制高电流负载的开关,自保护机制确保在过流或过热时自动关闭,从而保护电路安全。
  • 驱动电路:用于驱动大功率负载,如电机、灯具和其他电器件。

结论

总之,DMP3056LSS-13 是一款高效、可靠且易于集成的 P 沟道 MOSFET,适合各种中小功率的应用。其设计坚持高效率、低损耗的市场需求,使其在现代电子产业中发挥越来越重要的作用。无论是电源管理、负载控制还是电机驱动,DMP3056LSS-13 的性能都能满足严苛的要求,值得工程师们在产品设计中考虑选用。