型号:

DMP2104LP-7

品牌:DIODES(美台)
封装:X1-DFN1411-3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
DMP2104LP-7 产品实物图片
DMP2104LP-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.5A 1个P沟道 DFN1411-3
库存数量
库存:
899
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.683
3000+
0.635
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)134mΩ@2.5V,670mA
功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)450mV@250uA
输入电容(Ciss@Vds)320pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)60pF@16V
工作温度-55℃~+150℃

DMP2104LP-7 产品概述

产品简介

DMP2104LP-7 是由美台公司(DIODES)制造的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件具备低导通电阻和宽工作温度范围,适用于多种应用场景,包括开关电源、负载开关以及信号调节等领域。其高达 1.5A 的漏极电流能力和 20V 的漏源电压,能够满足一般电子电路的需求。

主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 1.5A(在 25°C 时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 150mΩ @ 900mA, 4.5V
  • 最大功率耗散(Pd): 500mW(Ta=25°C)
  • 工作温度范围(TJ): -55°C ~ 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 器件封装: 3-DFN1411(1.4x1.1mm)

功能特性

DMP2104LP-7 的 P 通道结构使其在负压源电路中表现出色,尤其在高侧开关应用中优势明显。与 N 通道 MOSFET 不同,P 通道 MOSFET 允许采用较为简单的驱动电路,通过较低的门极电压来实现开关控制,从而提升整体电路的设计灵活性。同时,其最大 Vgs 为 ±12V 的规格,防止在过电压情况下造成的损坏,增加了稳定性和安全性。

应用场景

DMP2104LP-7 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源: 本器件能够高效控制电源开关,利用其低导通电阻来降低功率损耗,提高效率。
  2. 负载开关: 在电源管理系统中,DMP2104LP-7 可用于负载的切换,帮助实现精确的电源分配。
  3. 音频设备: 在音频信号调节应用中,可以使用此器件控制信号的开关与传递,提高音频质量。
  4. 电池管理系统: 在充电和放电过程中,该器件可用于电流控制,优化系统的性能和安全性。
  5. 汽车电子: DMP2104LP-7 的宽工作温度范围使其适用于汽车电子系统,对温度稳定性要求较高的应用场合。

性能优势

DMP2104LP-7 的设计特点使其在各类电子应用中具有强大竞争力。其低导通电阻特性能够有效降低能量损失,特别适合高频开关场合。此外,酱的工作温度可以自 -55°C 到 150°C,使得它在恶劣环境下的应用时非常可靠,确保产品长期稳定地工作。

结论

总之,DMP2104LP-7 是一款优秀的 P 通道 MOSFET,具备多项出色特点和广泛的应用潜力。无论是在开关电源、负载管理、音频控制还是汽车电子等领域,此器件都能够以其高效的性能满足设计需求,为客户提供可靠的解决方案。同时,作为 DIODES 旗下的产品,DMP2104LP-7 也受益于该品牌在电子元件领域的良好声誉和技术支持,为用户的选择提供了更多的信心。