型号:

DMP2069UFY4-7

品牌:DIODES(美台)
封装:X2-DFN2015-3
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
DMP2069UFY4-7 产品实物图片
DMP2069UFY4-7 一小时发货
描述:表面贴装型-P-通道-20V-2.5A(Ta)-530mW(Ta)-DFN2015H4-3
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.997
200+
0.766
1500+
0.667
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)54mΩ@4.5V,2.5A
功率(Pd)530mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.1nC
输入电容(Ciss@Vds)214pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF
工作温度-55℃~+150℃

DMP2069UFY4-7 产品概述

概述与应用

DMP2069UFY4-7 是一款由 DIODES(美台)制造的高性能 P 通道 MOSFET,采用表面贴装型设计,封装形式为 X2-DFN2015-3。这款器件的主要特点是在小尺寸和高集成度的基础上,提供卓越的电气性能,适合用于各种电子设备中,包括但不限于电源管理、电机驱动、开关电源和汽车电子等应用。

关键参数

  • 导通电阻(Rds(on)): 在 Vgs 为 4.5V 时,导通电阻最大值为 54 毫欧(在 Id 2.5A 时),这一低导通电阻确保了较低的功耗和发热,有助于系统提高能效。
  • 漏极电流(Id): 该器件在 25°C 环境下的连续漏极电流可达 2.5A,适合用于低到中等负载的驱动应用。
  • 工作温度范围: DMP2069UFY4-7 的工作温度可以在 -55°C 到 150°C 范围内正常运行,使其能够适应各种严苛的环境条件,特别适合汽车和工业应用。
  • 最大漏源电压(Vdss): 器件的最大漏源电压为 20V,能够有效满足绝大多数低压电源和开关应用的需求。
  • 栅极电压(Vgs): 器件的栅极电压上限为 ±8V,确保在控制信号波动时不会造成器件损坏,并且在较低的驱动电压(1.8V 和 4.5V)下,依然保持良好的导通性能。
  • 功率耗散: DMP2069UFY4-7 的最大功率耗散为 530mW,这一较高的功率容量使其能够在相对高的负载条件下工作而不至于过热。

性能特点

  • 开关特性: 在不同 Vgs 下,器件的栅极电荷 Qg(最大值为 9.1nC @ 4.5V)较小,意味着在驱动时所需的功率较低,提高了整体的工作效率。
  • 输入电容: 输入电容 Ciss 为 214pF(在 10V 下测量),这意味着在信号频率较高时,器件的开关速度可以得到良好的保证,从而适用于高频率的应用场景。

应用场合

DMP2069UFY4-7 适用于多种重要的应用场合,包括:

  1. 电源管理系统: 在开关电源和线性稳压器中,对输入和输出进行高效的电源管理。
  2. 电机控制电路: 在电机驱动中,作为开关元件来控制电机的开启和关闭,提高电机效率。
  3. 汽车电子: 由于其宽温范围和稳定性,此MOSFET可用于汽车电源管理、灯光控制和其他汽车应用。
  4. 消费电子: 在便携式设备和其他用户电子产品中,提供高效的电源开关及过电流保护。

总结

DMP2069UFY4-7 是一款性能出色的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高漏极电流以及宽广的工作温度范围,适合多种应用。从电源管理到汽电子电路,它都能发挥出色的性能,必将成为设计师和工程师们在推进高效、长期稳定的电子设计时的重要选择。选择 DMP2069UFY4-7,保证您的设计在高效能和小型化上取得更大的突破。