DMNH10H028SPSQ-13

产品概述 - DMNH10H028SPSQ-13

1. 产品简介

DMNH10H028SPSQ-13是一款高性能的N沟道MOSFET，采用创新的PowerDI-5060-8封装，旨在满足对高效能和高温工作条件下的电子应用需求。该MOSFET的关键特性包括能够承受高达100V的漏源电压（Vdss）以及持续漏极电流40A（Tc=25°C），使其在各类电力转换和驱动应用中表现出色。其优异的导通电阻和低栅极电荷让DMNH10H028SPSQ-13在开关频率较高的场合下，能够有效地降低功耗，提高整体系统效率。

2. 规格性能

• 封装类型：PowerDI-5060-8，支持高效的表面贴装(SMT)工艺。
• FET类型：N沟道，适用于多种功率控制及信号开关应用。
• 最大漏源电压（Vdss）：100V，适应于高电压电源系统。
• 连续漏极电流（Id）：40A（Tc=25°C），足以满足高负载要求的应用。
• 最大导通电阻（Rds On）：28毫欧@20A，10V下表现出优异的导电能力，从而降低能量损耗。
• 栅源电压（Vgss）：±20V，提供宽阔的驱动电压范围。
• 输入电容（Ciss）：2245pF@50V，适应快速开关要求，减少开关延迟。
• 导通阈值电压（Vgs(th)）：4V@250µA，保证在较低电压下即可推动开关，增强系统兼容性。
• 栅极电荷（Qg）：36nC@10V，极低的栅极电荷使得驱动电路负担减轻，有助于提高开关频率。
• 功率耗散（最大）：1.6W，确保在高温环境下长时间稳定工作。

3. 温度与应用环境

DMNH10H028SPSQ-13的工作温度范围为-55°C至175°C，使其适用于极端温度环境下的应用，特别是在汽车、电力/能源、工业自动化和消费电子等领域都具有非常高的适用性。其宽泛的温度范围结合相对较高的功率耗散能力，可以有效地应对严格的环境条件及变化。

4. 应用领域

DMNH10H028SPSQ-13适合于多种应用，尤其是在：

• 电源管理：如DC-DC变换器、开关电源以及电池管理系统等。
• 电机驱动：适用于各种电机控制器，如步进电机、无刷直流电机等。
• 汽车电子：在车载电源分配和电动汽车驱动控制中发挥重要作用。
• 工业自动化：用于高效的负载驱动和信号开关。

5. 竞争优势

相较于同类产品，DMNH10H028SPSQ-13在导通电阻、漏极电流及热性能方面表现尤为突出。其低功耗特性与强大的散热能力保证了高效的电源管理，促使整套系统性能提升，降低能量消耗。同时，采用的PowerDI-5060-8封装也为设计人员提供了更高的集成度和更小的占板面积，进一步为系统设计提供灵活性。

6. 结论

DMNH10H028SPSQ-13作为一款高效能的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性，广泛的应用范围及优良的环境适应能力，成为现代电力电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在高效能电源管理，还是在严苛环境下的电机驱动控制中，DMNH10H028SPSQ-13都能为用户提供可靠的性能保障，助力于各类电子产品的优化与创新。