描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 100V 3.6A 1个N沟道 SOT-223-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)110mΩ@10V,3.3A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC
输入电容(Ciss@Vds)549pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)19pF@50V
工作温度-55℃~+150℃
DMN10H120SE-13 产品概述
基本信息
DMN10H120SE-13 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为要求苛刻的电源管理和开关应用而设计。它的标称漏源电压为 100V，具有连续漏极电流能力 3.6A，确保能满足大多数中低压电源电路的需求。这款 MOSFET 采用了 SOT-223 表面贴装封装，便于集成在紧凑型电子设备设计中，适合追求小型化的现代电子产品。
主要特性
漏源电压 (Vdss): 100V
- 适合中高电压的应用，满足多种电源转换和电机控制等应用需要。
连续漏极电流 (Id): 3.6A （在 25°C时）
- 提供良好的电流承载能力，在适当的散热条件下，能够持续稳定地工作。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250µA
- 低栅源阈值电压使其在较低的驱动电压下即可达到导通状态，提高了控制灵活性。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 110mΩ @ 3.3A, 10V
- 低的导通电阻有效减少了开关损耗，优化了能效，适合高频开关应用。
最大功率耗散: 1.3W （Ta=25°C）
- 在适宜的工作环境下，能够有效管理功耗，37适合多种轻负载应用。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 优异的工作温度范围确保该器件在极端环境下也能可靠运行，适应不同应用场景。
栅极电荷 (Qg): 10nC @ 10V
- 低栅极电荷使其在开关频率较高时表现出色，提升了开关速率。
输入电容 (Ciss): 549pF @ 50V
- 较低输入电容确保在驱动电路中能够快速响应，适合高频信号应用。
栅极-源极最大电压 (Vgs(max)): ±20V
- 具备良好的栅极保护能力，适应多种控制电路需求。
应用领域
DMN10H120SE-13 广泛应用于：
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 电源管理
- 开关电源
- 高频开关应用
- 消费电子设备
- 车载电子
封装与安装
该器件采用 SOT-223 封装，具有小型化、轻量化的特点，非常适合空间有限的应用。其表面贴装型设计使得安装更加简便，适合现代自动化生产线的需求。
总结
DMN10H120SE-13 是一款性能优良的 N 通道 MOSFET，适合各种需要高电压和中等电流应用的场合。凭借其高效的电气特性和优良的热管理能力，该器件是现代电源设计中不可或缺的组件之一。无论是在电源转换、高频开关还是在电机驱动应用中，DMN10H120SE-13 都能提供稳定可靠的性能，为电子设备的可靠性与效率提供支持。