描述：场效应管(MOSFET) 360mW 250V 100mA 1个N沟道 SOT-23
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）250V
栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）250V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）14 欧姆 @ 100µA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 56µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）3.5nC @ 5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）76pF @ 25V
FET 功能耗尽模式
功率耗散（最大值）360mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1 产品概述
BSS139H6327XTSA1 是一种高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 SOT-23-3 封装。该器件由英飞凌（Infineon）公司生产，旨在满足广泛电子应用，如开关电源、信号放大和电流控制等领域的需求。本文将全面概述其主要参数、应用场景及性能优势。
1. 基本参数
BSS139H6327XTSA1 的核心参数包括：
- 封装类型: 该器件采用 SOT-23-3 表面贴装封装，适合高密度电路板设计，具备较小的尺寸与轻量化特性，方便自动化焊接。
- 工作电压: 漏源极电压（Vdss）高达 250V，这使得其可以在高压环境下可靠工作，适合各种高压应用。
- 电流能力: 在 25°C 的环境温度下，最大连续漏极电流（Id）可达 100mA，这对于低功耗应用足够且安全。
- 栅源电压: 该器件的栅源电压（Vgss）在±20V 范围内，具有良好的耐压特性，适用于多种控制信号。
- 导通电阻: 在 Vgs = 10V 时，导通电阻（Rds On）达到 14 欧姆，这在切换频率和效率方面提供了相对较好的性能。
- 功率耗散: 功率耗散最大为 360mW，确保在正常运行条件下器件不会因过热而失效。
- 工作温度范围: 它支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围，使其适合于恶劣环境的应用。
2. 功能特性
BSS139H6327XTSA1 属于耗尽模式 MOSFET，其输入电容（Ciss）在 25V 时为 76pF，特定的栅极电荷（Qg）在 5V 时为 3.5nC。这使其在高频开关应用中表现出色，有助于减少驱动功耗并优化响应速度。
3. 应用场景
BSS139H6327XTSA1 由于其坚固的性能、紧凑的封装和高耐压特性，可以广泛应用于以下几个领域：
- 开关电源: 用于电源管理电路中，作为精确开关组件，实现快速切换与高效率能源转换。
- 信号调理与放大: 在模拟电路中可用作信号放大和开关，具有优异的线性度和少量的非线性失真。
- 移动设备: 由于其小型化特性，适合在手机和其他便携式设备中应用，用于电源管理和信号路由。
- 工业应用: 适用于各种工业控制系统，如电动机控制、高级驱动器和自动化设备。
4. 性能优势
BSS139H6327XTSA1 的设计不仅注重电性能的解决方案，同时也考虑了长时间工作的可靠性。由于其优良的低导通电阻和高耐压能力，此 MOSFET 能够在各种工作条件下提供稳定的性能，减少热损耗并延长设备使用寿命。此外，子母电路板上的集成设计，以及与现代电子设计软件的兼容性，使得设计师在产品开发过程中能够快速验证和实施设计。
结论
综上所述，BSS139H6327XTSA1 是一款强大而灵活的 N 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气特性、可靠的性能和广泛的应用场景，成为现代电力电子设计中的可靠选择。无论是家庭电器、工业控制系统还是高频开关电源，它都能提供卓越的效率和性能，是电子设计工程师在选型时的优质选择。