型号:

BCX5616TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT89
批次:2年内
包装:编带
重量:0.14g
其他:
BCX5616TA 产品实物图片
BCX5616TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 80V 1A NPN SOT-89-3
库存数量
库存:
6413
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.323
1000+
0.292
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)25@500mA,2V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)20uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:BCX5616TA NPN晶体管

引言

在现代电子电路中,晶体管作为一种核心元器件,发挥着放大和开关的作用。BCX5616TA是一款高性能NPN型晶体管,专为要求严格的应用场景而设计,具有优良的电气特性和可靠的性能。以下是该产品的详细介绍,涵盖其主要参数、特性、应用场景等方面。

基本参数

BCX5616TA晶体管的核心参数体现了其卓越的性能:

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 (Ic):1A,这是该晶体管允许的最大集电极电流,确保其在高功率应用中仍能稳定工作。
  • 集射极击穿电压 (Vce):80V,提供了较高的电压容忍度,适合高电压应用。
  • 额定功率:1W,适合中等功率的应用,保证在规定范围内的安全操作。
  • 饱和压降:在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下,最大饱和压降为500mV,保证了电路的效率。
  • 截止电流 (ICBO):最大值为100nA,表明在非激活状态下极低的漏电流,提升了电路的整体性能和能效。
  • 直流电流增益 (hFE):在150mA时,hFE的最小值达到100,提供良好的放大能力。
  • 频率:跃迁频率为150MHz,适合高频应用,满足现代通讯和信号处理的需要。
  • 工作温度范围:-65°C到150°C,展现出极强的热稳定性,适用于严苛的环境条件。

封装与安装

BCX5616TA采用SOT-89-3封装,作为一种表面贴装型(SMD)元器件,其小巧的体积使得在紧凑的电路板上具备更好的布局灵活性。SOT-89封装不仅便于自动化生产,也有助于提高元件在电路中的密度,适应现代电子设计不断追求的小型化趋势。

应用场景

BCX5616TA晶体管广泛应用于多种电子设备和领域,包括但不限于:

  1. 信号放大:可用于音频放大器、视频信号处理等场景,利用其良好的hFE实现信号放大。
  2. 开关电路:因其较高的Ic和Vce指标,适合用于开关电源、继电器驱动等开关电路。
  3. 射频应用:具备150MHz的跃迁频率,适合无线通信、RF放大器等高频应用。
  4. 功率放大器:在需要中等功率输出的场合,如微型音频放大器、周边设备驱动电路中表现出色。

品牌与可靠性

BCX5616TA由知名品牌DIODES(美台)生产,享有良好的市场声誉和客户信任。DIODES公司致力于研发高性能半导体,凭借其在电子元件领域的技术积累,能够提供高质量、可靠性强的产品,为客户提供稳定的电源解决方案,满足各类电子设备的需求。

总结

BCX5616TA NPN晶体管是一款性能卓越的元器件,凭借其高集电极电流、高击穿电压、宽工作温度范围和优良的增益特性,成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。适用于多种应用场景,能够有效提升设备性能,降低能耗。作为一种高效能的半导体器件,BCX5616TA无疑是各种电子产品成功的基础,适合希望在设计中实现高效率与高稳定性的工程师们使用。