TN2404K-T1-GE3

产品概述：TN2404K-T1-GE3 N沟道MOSFET

1. 产品简介

TN2404K-T1-GE3是一个高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名品牌VISHAY（威世）制造。该器件专为需要高压、高效能和高电流密度的应用而设计。其主要特点是能够承受高达240V的漏源电压，并且在25°C环境下可持续输出200mA的漏极电流，适合多种电子电路设计。

2. 技术参数

• 漏源电压（Vdss）: 240V
• 连续漏极电流（Id）: 200mA（在25°C时）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 4Ω @ 300mA, 10V
• 最大功率耗散: 360mW（在25°C时）
• 驱动电压范畴: 2.5V至10V（确保最佳的导通状态）
• 最大栅极电压（Vgs）: ±20V
• 工作温度范围: -55°C至150°C
• 封装形式: SOT-23-3（TO-236）

3. 应用场景

TN2404K-T1-GE3 MOSFET广泛应用于各种电子电路和功率管理系统，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 电机驱动电路
• 负载开关应用
• 高效照明控制
• 音频放大器和其他消费产品的信号调节

由于其宽广的工作温度范围，从极低的-55°C到高达150°C，使得TN2404K-T1-GE3能在极端环境下保持稳定工作，因此非常适合于汽车电子、工业控制和航空航天等领域。

4. 性能优势

• 优越的导电性能: 该MOSFET在较低的门极驱动电压下能提供低通导电阻，极大地提升了电流驱动能力，降低了导通损耗。
• 高抗压能力: 240V的漏源电压使其能够承受高电压工作环境，是高压电源设计的理想选择。
• 高效率: 其功率耗散限制在360mW，在中等负载条件下运行时提供优异的散热性能，有助于提高系统的整体效率。
• 小封装设计: SOT-23-3封装使其适用于空间受限的设计，便于在紧凑型电路中使用。

5. 安装建议

TN2404K-T1-GE3采用表面贴装型设计，这使得其在自动化生产线上可以实现高效焊接，降低组装成本。对于电路设计师，建议在设计PCB时注意合理布局，以确保良好的热管理和避免高电压干扰。

6. 总结

TN2404K-T1-GE3 N沟道MOSFET是一个功能强大、高效能的电子元器件，凭借其优异的电气特性和可靠的性能可广泛运用于各种应用场合。VISHAY作为全球领先的半导体制造商，提供了稳定的质量和广泛的技术支持，为电子工程师在高压、高效能电子设计中提供了可靠选择。无论是新产品研发还是现有产品的优化升级，TN2404K-T1-GE3都是一个值得考虑的优秀器件。