STW21NM60ND

产品概述：STW21NM60ND N沟道 MOSFET

概念与特性

STW21NM60ND 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用 TO-247-3 封装，具备出色的电气特性和高功率处理能力。这款 MOSFET 的额定漏源极电压为 600V，能够满足高压应用的需求，适用广泛的电源管理、逆变器、驱动电路和电力电子领域。由于其强大的性能和较高的效率，STW21NM60ND 在工业、消费电子及可再生能源系统中广泛应用。

关键参数

1. 封装与安装:

   • STW21NM60ND 使用常见的 TO-247-3 封装，适合通孔（THT）安装，便于散热和应用在多种电气环境。

2. 电气特性:

   • 漏源极电压（Vdss）: 最高 600V 适用于高压电源电路
   • 电流 - 连续漏极 (Id): 在 25°C 的条件下，最大为 17A（Tc）
   • 栅源电压 (Vgss): 能够承受 ±25V，确保电路设计的灵活性和安全性

3. 导通电阻与驱动电压:

   • 最大 Rds On: 在 10V 的驱动电压下，导通电阻最大可达 220 毫欧 @ 8.5A，确保在高电流条件下的低功耗损耗。
   • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 60nC @ 10V，表明在切换操作中能够快速响应，有助于提高工作效率。

4. 输入电容与功率耗散:

   • 输入电容 (Ciss): 最大 1800pF @ 50V，影响开关速度和开关损耗。
   • 功率耗散（Pd）：最大 140W（Tc），允许 MOSFET 在高功率应用中运行，确保高可靠性。

5. 工作温度:

   • 工作温度范围为 -55°C 到 150°C（TJ），适应多种严苛的工作环境，适合工业标准及高温应用场景。

应用领域

STW21NM60ND MOSFET 因其出色的器件特性和极佳的性能在多种应用场景中表现优异，包括：

• 电源转换器: 适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等电源管理应用，提供高效的电能转换。
• 逆变器: 广泛用于太阳能逆变器和其他可再生能源系统，以处理高电压和高电流的需求。
• 电机驱动: 应用于电动机驱动电路，提供高电流的控制与驱动能力。
• 功率放大器: 在射频和音频放大器中应用，优化输出功率。

竞争优势

作为 ST（意法半导体）的产品，STW21NM60ND 在市场上具有明显的竞争优势：

• 高品质与可靠性: ST 作为知名的半导体制造商，保证了产品的高品质和稳定性。
• 灵活的电气特性: 为设计工程师提供多种应用的灵活性，特别是在高压高流的场景中。
• 良好的热管理: 通过 TO-247-3 封装设计，在高功率条件下表现出色的散热特性，有效降低过热风险。

总结

STW21NM60ND N沟道 MOSFET 以其高效的电气性能、可靠的工作环境适应能力以及强大的绝缘特性，成为高压电源、逆变器和电机驱动等领域的不二选择。通过在多种严苛应用中的出色表现，STW21NM60ND 将继续为设计工程师提供优质可靠的解决方案，加速技术产品的发展与革新。