型号:

STP60NF06FP

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3 整包
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
STP60NF06FP 产品实物图片
STP60NF06FP 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 30W 60V 30A 1个N沟道 TO-220FP
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.96
100+
2.37
1000+
2.26
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A
功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)49nC@48V
输入电容(Ciss@Vds)1.81nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)125pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

STP60NF06FP 产品概述

概述

STP60NF06FP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要特点为高效能、高电流承载能力和适应宽温范围。该器件以TO-220-3封装形式提供,适合各种要求高电流和高电压应用的电力电子电路。STP60NF06FP的漏源极电压(Vds)为60V,最大连续漏极电流(Id)为30A,使其非常适合用于电源管理、马达驱动和开关电源等领域。

技术参数

  1. 封装和安装类型:

    • STP60NF06FP采用TO-220-3整包封装,这种通孔安装(THT)类型的电气连接方式,确保在散热能力和稳固性方面的优势。TO-220封装的设计允许器件有效地散热,从而提升高功率应用的可靠性。
  2. 电气特性:

    • 漏源极电压(Vds): 最高可承受60V的工作电压,使其适合多个电源电路。
    • 最大漏极电流(Id): 30A(Tc=25°C),提供强劲的电流承载能力,适合高负载条件。
    • 导通电阻(Rds(on)): 最大值为16毫欧(在30A、10V Vgs下),这一低电阻特性能有效降低在开关过程中产生的功率损耗,提升效率。
    • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为4V @ 250µA,确保在较低的栅极电压下能够可靠开启。
    • 栅极电荷(Qg): 最大值为66nC @ 10V,低栅极电荷特性可加快开关速度,减少开关损耗。
  3. 温度特性:

    • STP60NF06FP的工作温度范围为-55°C ~ 175°C,极大的温度适应性适合在严苛环境中长期稳定运行。
  4. 功率耗散:

    • 该器件可承受最高30W的功率损耗(Tc=25°C),在设计时应合理分配和管理散热,以确保设备性能的持久性。
  5. 输入电容(Ciss):

    • 最大值1810pF @ 25V的输入电容,确保快速的信号响应,适合高速开关应用。

应用场景

STP60NF06FP适用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源转换器: 适用于DC-DC转换器、AC-DC电源等。
  • 电机驱动: 可用于电动机控制及驱动电路,如步进电机和无刷直流电机的控制。
  • 开关电源: 在各种开关电源(SMPS)设计中表现优越,用于高效的功率转换。
  • 汽车电子: 精确控制汽车电源管理系统,尤其在电动汽车应用中尤为重要。

总结

STP60NF06FP结合了高电流、高电压和宽温度范围的特点,成为了高效电力电子应用中的理想选择。其低导通电阻与高功率耗散能力使其在各种应用场合中表现稳定,能够满足现代电子设备对效率和可靠性的高要求。此外,意法半导体的优质保证和良好的市场声誉,让STP60NF06FP在市场上有着广泛的应用基础和客户认可。

选择STP60NF06FP,无疑是优化系统性能、提高效率以及确保可靠性的有效方案。