STP5NK80Z

STP5NK80Z 产品概述

产品简介

STP5NK80Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高压和高电流应用设计。该器件具有高达800V的漏源电压和连续漏极电流4.3A，适用于各种工业设备和电源管理应用。

技术特性

1. 工作电压与电流：

   • 漏源电压（Vdss）：STP5NK80Z的最大漏源电压为800V，能够满足高压电路的需求。
   • 连续漏极电流（Id）：在25°C时，器件的最大连续漏极电流为4.3A，适合驱动中小功率负载。

2. 导通电阻：

   • 器件在最大条件下（Id = 2.15A, Vgs = 10V）时的导通电阻为2.4Ω。这一特性保证了在过载情况下能够有效降低功率损耗，从而提高整体系统的效率。

3. 栅极驱动电压：

   • STP5NK80Z的栅极驱动电压范围为10V，这为设计提供了良好的兼容性，以适应不同的驱动电路。同时，最大栅极源电压（Vgs）为±30V，具备良好的抗过压能力。

4. 栅极电荷（Qg）：

   • 器件的栅极电荷在10V时最大为45.5nC，这对于高频开关应用尤为重要。较低的栅极电荷意味着更快的开关速度与更低的驱动功耗。

5. 输入电容：

   • 在25V时，输入电容（Ciss）最大值为910pF。较高的输入电容能够有效抑制高频噪声，确保电路的稳定性。

6. 功率耗散：

   • STP5NK80Z的最大功率耗散为110W（在Tc条件下），显示出其出色的散热能力，适合高功率应用。

7. 温度范围：

   • 器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，这使其能够在极端条件下保持稳定的工作状态。高温耐受能力使得该MOSFET在恶劣环境中仍能正常发挥作用。

8. 封装类型：

   • STP5NK80Z采用TO-220封装，这种通孔类型的封装具有良好的散热特性，便于与散热器连接，适合高功率应用环境。

应用领域

STP5NK80Z广泛应用于以下领域：

• 工业电源：高压电源、高频开关电源以及交流电调速器等。
• 电机驱动：可用于各类电机的驱动电路，尤其是在高压和高电流条件下的应用。
• 电源管理：用于蓄电池管理系统中的功率开关以及能量转换模块。
• 家电设备：如逆变器和变频器等应用，在这些设备中需要高效的电源开关控制。

总结

STP5NK80Z凭借其优越的电气性能和广泛的工作环境适应性，成为高压应用中的理想选择。该器件不仅能有效控制功率损耗，还能提供稳定的工作性能，确保各类电气设备的安全和高效运行。在追求更高效率与更可靠性的现代电源设计中，STP5NK80Z无疑是一个值得信赖的选择。