描述：MOSFET N-Ch 120 Volt 40 Amp
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-220-3
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）120V
安装类型通孔(THT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）120V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）32 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）80nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1880pF @ 25V
功率耗散（最大值）150W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装TO-220AB
STP40NF12 产品概述
概述 STP40NF12 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220-3 封装，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。其设计旨在满足高电压和高电流的需求，适合多种应用场合，如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器及其它功率转换设备。
主要特性
- 封装和安装类型：STP40NF12 采用 TO-220-3 封装，便于通孔安装，适合需要散热性能的场合。
- 电压和电流规格：本器件的漏源极电压（Vdss）为 120V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时可达到 40A，非常适合高压应用场合。
- 导通电阻：在 20A 和 10V 的条件下，其最大导通电阻（Rds On）仅为 32 毫欧，体现了其优秀的导电性能，能够有效降低发热，提高系统的整体效率。
- 栅极阈值电压：最大 Vgs(th) 为 4V@250µA，应用时可确保在低栅极电压下实现快速开关，增强了电路的灵活性。
- 工作温度范围：该器件能够在 -55°C 至 175°C 的宽温度范围内稳定工作，适合于严酷的工作环境，能够满足汽车和工业应用的需求。
电气特性 STP40NF12 的参数指标显示出其卓越的电气性能：
- 驱动电压：在最小导通电阻条件下，要求的驱动电压为 10V，能确保 MOSFET 迅速切换并维持在最佳导通状态。
- 输入电容：在 25V 时，输入电容（Ciss）为 1880pF，这意味着在开启和关断时，该器件具有较低的输入电流需求，能有效降低开关损耗。
- 栅极电荷：最大栅极电荷（Qg）为 80nC@10V，这是促进高频率开关操作的关键参数，有助于改善高频应用中的功率效率。
功率耗散 STP40NF12 的功率耗散能力达 150W（在恒态温度下），这确保了它可以在高功率应用中可靠工作，而不会因为过热而导致失效。这一特性使其成为电源转换和电机控制等领域的理想选择。
应用领域 STP40NF12 的高效能和宽广的工作环境，使其可以用于以下多个主要应用场景：
- 开关电源：可以在交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换中作为开关器件，提供高效的能量转换。
- 电机驱动器：适用于控制直流电机或步进电机的驱动电路，尤其在需要快速开关和高电流的应用中表现优异。
- 逆变器：在光伏或其他可再生能源系统中，STP40NF12 可用于逆变器设计，以实现高效的能量管理和转换。
- 汽车电子：适合作为汽车电源管理和控制电路中的开关元件，满足汽车电子产品的高可靠性和高效能需求。
总结 STP40NF12 是一款结合了优异的电流处理能力、低导通电阻和广泛操作温度范围的 N 沟道 MOSFET。其设计使其能够在高效能和高可靠性的要求下，适应多种严苛的应用环境。无论是电源管理、传动控制还是汽车电子，该器件都能提供出色的表现，是设计工程师在选择功率开关元件时的重要选项。