STP18NM60N

STP18NM60N 产品概述

1. 产品简介

STP18NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，具有600V的漏源电压（Vds）和13A的连续漏极电流（Id），采用TO-220-3封装，适用于高压应用。该器件以其卓越的电气性能而受到青睐，常被用于电源转换、开关模式电源（SMPS）、电机驱动和其他高功率应用中。

2. 主要特性

• 工作电压：STP18NM60N具有高达600V的漏源电压，使其适用于高压环境。
• 连续漏极电流：在25°C时，器件的最大连续漏极电流为13A，这意味着它可以在高功率应用中稳定工作。
• 导通电阻：器件在6.5A和10V的条件下，最大导通电阻为285毫欧，有效降低了功耗并提高了电路效率。
• 栅极电压：STP18NM60N的栅源电压（Vgs）最大可达±25V，适配多种驱动电压并确保良好的控制。
• 输入电容：在50V时，其输入电容（Ciss）最大为1000pF，保障了快速开关与高频操作的能力。
• 驱动电压：在驱动应用中，10V为其最佳驱动电压，使得在Rds On的表现最优。
• 温度特性：STP18NM60N具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，适应多种工作环境。

3. 应用场景

由于其强大的电气特性，STP18NM60N广泛应用于多个领域：

• 开关电源：用于AC-DC和DC-DC转换器，能够有效转换电能，提升能效。
• 电机控制：在电动机驱动的应用中提供可靠的开关操作，适用于伺服电机和步进电机驱动。
• 电力电子设备：在逆变器和整流器中起到关键作用，能够承受高压和高电流环境。
• 家电产品：在洗衣机、冰箱和空调等家电中，发挥着电源管理和驱动控制等功能。

4. 性能参数细节

• 漏源极电压（Vdss）：600V，适合高压应用。
• 栅源电压：±25V，确保器件的可靠性和稳定性。
• 功耗：最大功率耗散为110W（Tc），适合高功率场合。
• 栅极电荷（Qg）：在10V时最大为35nC，表明该器件的开关速度快，能够有效减少开关损耗。

5. 结论

STP18NM60N凭借其出色的性能指标和可靠的工作特性，成为现代电源和功率控制应用中不可或缺的组件。无论是在高压电源供应、工业自动化还是家电产品中，STP18NM60N都表现出了卓越的适用性和持续性能。在选择高功率MOSFET时，STP18NM60N无疑是一个理想的选择，为多个应用领域提供了稳定、高效的解决方案。