型号:

STGD6NC60HDT4

品牌:ST(意法半导体)
封装:DPAK
批次:18+
包装:编带
重量:0.475g
其他:
STGD6NC60HDT4 产品实物图片
STGD6NC60HDT4 一小时发货
描述:IGBT管/模块 2.5V@15V,3A 600V 56W 15A TO-252-2(DPAK)
库存数量
库存:
3
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.42
100+
2.86
1250+
2.6
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)15A
功率(Pd)56W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2.5V@15V,3A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)13.6nC
开启延迟时间(Td(on))12ns
关断延迟时间(Td(off))76ns
导通损耗(Eon)0.02mJ
关断损耗(Eoff)0.068mJ
反向恢复时间(Trr)21ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STGD6NC60HDT4 产品概述

一、产品简介

STGD6NC60HDT4是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专门用于电力转换及控制应用。凭借其高电压和电流承载能力,该器件在多个应用场合中表现优异,为诸如逆变器、电机驱动、开关电源等领域提供了可靠的解决方案。

二、主要参数

  • 集电极电流(Ic):该IGBT的最大集电极电流为15A,适合在高负载条件下工作。
  • 集射极击穿电压(Vce):最大集射极击穿电压为600V,确保在高压环境下的稳定性和安全性。
  • 栅极阈值电压(VGE(th)):在250μA的条件下,栅极阈值电压为5.75V,反映出该器件在门极驱动电压下的高灵敏性。
  • 导通电压(Vce(on)):在15V栅极电压和3A集电极电流时,Vce(on)为2.5V,具有较低的导通损耗特性。
  • 功率损耗:该器件的最大功率损耗为56W,适合中等功率的应用。
  • 开关能量:开关时,开关能量为20µJ(开)和68µJ(关),显示出其良好的开关效率。
  • 工作温度范围:工作温度范围广泛,从-55°C到150°C(TJ),适合各种极端环境的应用。

三、设计与封装

STGD6NC60HDT4采用DPAK封装(TO-252-3),是一种表面贴装型的元器件,适合现代电子电路的高密度布局。该封装具有良好的散热性能和电气性能,适合自动贴装并能在各种PCB应用中得到广泛应用。

四、应用场景

  1. 逆变器:可用于太阳能逆变器、风能逆变器等可再生能源的功率转换,实现高效率的能量传输。
  2. 电机驱动:适合在电动车、高效电机驱动和工业自动化等应用中提供高频率的开关控制,支持大功率电机的高性能控制。
  3. 开关电源:在高频开关电源设计中,该IGBT的高开关频率和低能量损耗使其成为理想选择。
  4. 焊接设备:在等离子体焊接和激光焊接等工业级焊接机中可提供优异的开关性能和负载承受能力。

五、性能优势

  • 高效率:STGD6NC60HDT4的低Vce(on)特性和低开关能量消耗使其在高频和高负载应用中能够显著降低能量损耗,提高整个系统的能效。
  • 可靠性和耐用性:广泛的工作温度范围和高耐压特性确保该器件在恶劣环境下的可靠运行。
  • 设计灵活性:凭借其高灵敏的栅极阈值电压和快速的开关时间,设计者能够便捷地将其整合至各类电力电子系统。

六、总结

STGD6NC60HDT4作为一款高效、高性能的IGBT,凭借其优异的电气性能和可靠的机械特性,已成为电力电子领域中一款非常成熟的产品。无论是用于可再生能源的逆变器,还是用于电机驱动与开关电源,其都提供了一个理想的解决方案。凭借意法半导体在行业中的领先地位和丰富经验,STGD6NC60HDT4无疑是高性能电力电子设计的优选材料。