STF2N95K5

产品概述：STF2N95K5 N沟道MOSFET

STF2N95K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）出品的高压N沟道MOSFET，适用于各种电子应用，尤其体现在其出色的性能和稳定性上。该器件专为需要高耐压和中等电流应用的场合设计，能够在宽广的工作温度范围内运行，从而满足各种电气环境的需求。

基本参数

STF2N95K5的漏源电压（Vdss）为950V，使其能够承受高达950伏特的电压，对于大多数高压应用而言，足以提供可靠的绝缘保护。其连续漏极电流（Id）为2A（在最大结温的情况下，Tc），这使得STF2N95K5在中等电流的电路中也能有效工作。

驱动电压是该器件的一个重要参数，STF2N95K5的最大Rds On和最小Rds On在10V时表现良好，导通电阻在最大值为5欧姆（@1A，10V），在提升电路效率时尤为重要。此外，在不同Id和Vgs条件下，Vgs(th)的最大值可达到5V @ 100µA，这表明该器件在开启时的栅极阈值电压。

功率与热管理

STF2N95K5的功率耗散能力最大可达20W（Tc），这使得其在负载变化时保持良好的温度管理能力。宽广的工作温度范围（-55°C到150°C）意味着该MOSFET可以在严酷的环境条件下稳定工作，适用于高温或低温的电路设计。

电气特性

该器件的输入电容（Ciss）在不同Vds条件下（最大值为105pF @ 100V）表明其在开关时的高效性，能够减少开关损耗并提高开关速度。栅极电荷（Qg）最大为10nC @ 10V，这使得该MOSFET在频繁开关操作中表现良好，与驱动电路的兼容性强。

封装与连通性

STF2N95K5采用TO-220-3封装类型，这是一种常见且易于散热的结构设计，可以很好地管理功率损耗。通孔安装的设计使得在组装电路板时触点更加稳定可靠，适合于各种工业和消费类电子设备的设计。

应用场景

STF2N95K5在众多应用领域展现出其适用性，包括但不限于：

• 电源管理：用于开关电源和直流-直流转换器中，提供高效的电源转换。
• 工业控制：适合用于电动机驱动，作为开关元件在电机控制电路中应用。
• 高压电路：理想用于高压直流电源及逆变器设计。
• LED驱动：能够高效驱动大功率LED阵列，满足照明需求。

结论

总之，STF2N95K5作为一款高性能的N沟道MOSFET，通过其950V的漏源电压和高达2A的漏极电流能力，结合其优良的电气特性与广泛的应用场景，为设计工程师提供了一种可靠的解决方案。在现代电子工程中，其独特的性能，无疑为高压和高功率应用提供了坚实的基础。