STD4NK60Z-1

STD4NK60Z-1 产品概述

产品概述

STD4NK60Z-1 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为高压和高效能应用而设计。其采用了先进的金属氧化物半导体技术，具备卓越的电流承载能力和低导通电阻，使其在各种电力电子应用中表现出色。这款 MOSFET 的最大漏源极电压（Vdss）为 600V，最大连续漏极电流（Id）为 4A，能够很好地满足许多工业和消费电子场合的需求。

封装与安装

STD4NK60Z-1 配备 TO-251-3 短引线封装（也称为 I-PAK），采用通孔安装（THT）方式，便于在不同类型的电路板上进行集成。该封装在尺寸上相对紧凑，适合在空间有限的设计中使用。其优越的散热能力使得在高功率环境下仍能保持稳定工作，最大功率耗散达到 70W，这对于高功率转换器及开关电源设计尤为重要。

电气特性

STD4NK60Z-1 的关键电气特性如下：

• 漏源极电压（Vdss）：600V 使其适用于高电压应用如直流变换器和逆变器。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，最大值可达 4A（Tc）。这确保了其在多种工作条件下的可靠性。
• 导通电阻（Rds(on)）：在 Vgs 为 10V 时，最大导通电阻可低至 2Ω（@ 2A），这大大降低了导通损耗，提高了整体效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大为 4.5V（@ 50µA），便于与大多数逻辑电平驱动电路兼容。
• 栅极电荷（Qg）：最大值为 26nC（@ 10V），确保快速开关速度，适合PWM控制的应用。

工作温度

STD4NK60Z-1 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，使其能够在严苛环境下稳定工作。这使得该 MOSFET 可广泛应用于高温和低温的工作条件，适合于汽车、电网和工业控制等领域。

应用领域

STD4NK60Z-1 的设计使其适用于不同类型的应用场景，包括：

1. 开关电源：在电源转换过程中，能够确保高效的电能转换和低热耗散。
2. 直流-直流转换器：在电压转换过程中保持高转换效率，适合用于便携式和固定式设备。
3. 逆变器：尤其适用于太阳能逆变器和其他可再生能源应用中，能够处理高负载和高电压。
4. 电机控制：在各种电机驱动中，能够提供稳定和高效的开关性能，提高电机的运行效率。

产品优势

• 高可靠性：优越的散热和工作温度范围使其在恶劣环境中仍能长期稳定运行。
• 低功耗：低导通电阻和高开关速度确保高效执行各种电力转换任务，减少了能源损失。
• 广泛适用性：其通用的栅极驱动要求使其兼容众多控制电路，便于系统集成。

结论

综上所述，STD4NK60Z-1 是一款特性优越、价格合理的 N 沟道 MOSFET，适用于各种高电压和高电流应用。其小巧的封装和杰出的电气性能使其成为现代电力电子设备中的关键组件。无论是在开关电源、直流-直流转换器，还是逆变器和电机控制系统中，STD4NK60Z-1 都表现出了卓越的性能。因此，作为电力电子设计中不可或缺的伙伴，它为众多应用提供了高效、可靠的解决方案。