描述：表面贴装型-N-通道-500V-12A（Tc）-90W（Tc）-D2PAK
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）500V
栅源电压 Vgss±25V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）500V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）320 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）27nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）816pF @ 50V
功率耗散（最大值）90W（Tc）
工作温度150°C（TJ）
供应商器件封装D2PAK
STB14NM50N 产品概述
1. 产品简介
STB14NM50N 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 D²Pak （TO-263-3）封装。这款器件特别设计用于高电压和高电流应用，具有 500V 的漏源极电压（Vdss）和最高 12A 的连续漏极电流（Id）。该产品广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动和其它需要稳健电源管理的场合。
2. 关键参数
- 封装类型：D²Pak（也称为 TO-263-3），表面贴装型，适合现代电子产品的小型化和高密度设计。
- FET 类型：N 通道，提供优越的导通和关断控制。
- 漏源极电压 (Vdss)：500V，适合高压应用，并满足汽车、工业和消费类产品对电气绝缘的严格要求。
- 连续漏极电流 (Id)：25°C 时为 12A（在 Tc 下操作），体现出良好的电流承载能力。
- 最高功率耗散 (Pd)：可达到 90W（在 Tc 下），使该器件在高功率应用中也能有效工作。
- 最大栅源电压 (Vgss)：±25V，符合大多数驱动电路的要求。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V 时，最大值为 320 毫欧 @ 6A，具有较低的功率损耗，提高了整体系统的效率。
- 门极电荷 (Qg)：最大值为 27nC @ 10V，显示出较快的开关速度，可在高频应用中表现良好。
- 输入电容 (Ciss)：816pF @ 50V，适用于各种控制和驱动电路。
- 工作温度范围：最高可达 150°C（TJ），保证在严苛环境下的稳定性和可靠性。
3. 应用领域
STB14NM50N 可广泛应用于：
- 开关电源：得益于其高耐压和功率能力，适合用在 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
- 直流电动机驱动：能够提供对电机的高效控制，提升电机的性能和响应速度。
- 汽车电子：在电池管理系统和其他功率控制环节中，STB14NM50N 提供了必要的电气特性和耐久性。
- 工控设备：对高压和高电流的控制需求，使其成为工控领域中的理想选择。
4. 性能优势
相比于传统的功率MOSFET，STB14NM50N 具备更低的导通电阻和门极电荷，有助于减少功率损耗和提高开关效率。同时，D²Pak封装设计使得散热性能得到了增强，支持器件在更高的温度下稳定运行。
此外，意法半导体的 STB14NM50N 经过严格的质量控制和测试，既保证了产品的可靠性又提升了客户的应用信心。针对不同工作条件的适应性，使该器件能够在广泛的电子应用中表现出色。
5. 总结
STB14NM50N 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具备优异的电气性能和热性能，适合多种高压、高流应用。随着对新一代电子设备功率管理要求的不断提高，该器件将为设计者提供可靠的解决方案，并助力实现更高的系统效率和更小的体积。无论是在开关电源、汽车电子，还是在工控设备中，STB14NM50N 都展现了其卓越的适用性和可靠性，极具市场竞争力。