STB14NK60ZT4

产品概述：STB14NK60ZT4 MOSFET

一、产品简介

STB14NK60ZT4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道MOSFET，具备卓越的电气性能和热管理能力，适用于各种高压和高频率的电子应用。这款MOSFET采用D2PAK封装，专为表面贴装（SMT）设计，易于集成进现代电子电路中。

二、主要特性

• 漏源电压（Vdss）：STB14NK60ZT4的额定漏源电压高达600V，这使得它能够在高电压环境下可靠工作，适用于电源转换器、电机驱动和其他需要高电压控制的应用场景。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C条件下，该MOSFET可以承受最高13.5A的连续漏极电流，展现出良好的载流能力，满足大功率负载的需求。
• 栅源电压（Vgss）：±30V的栅源电压范围适配了多种驱动电路，灵活应对不同的控制需求。
• 导通电阻（Rds(on)）：在6A、10V栅电压条件下，其最大导通电阻仅为500毫欧，提供了低损耗的特性，从而提高了整体效率。
• 驱动电压：操作在10V驱动电压下，该产品的静态性能表现出色，适合多种开关电源及高频逆变器应用。
• 输入电容（Ciss）：在25V时，其输入电容为2220pF，适合于快速开关操作，减少开关损耗。
• 功率耗散：MOSFET的最大功率耗散能力达到160W（Tc），确保其在动力系统中的稳定性。
• 工作温度范围：该器件能在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，适应恶劣的工作环境以及高温应用。

三、电气参数

• 栅极电荷（Qg）：最大值为75nC @ 10V，确保快速的开关响应。
• Vgs(th)：其阈值电压最大为4.5V @ 100µA，确保快速电平转换。

四、应用场景

STB14NK60ZT4广泛用于各种高压和高频电子设备，包括但不限于：

1. 开关电源：在AC-DC和DC-DC转换中，可有效降低电源的开关损耗，提高转化效率。
2. 电机驱动：可用于直流电动机和步进电动机的驱动，提供平滑而高效的电能控制。
3. 焊接设备：由于其高功率和高电压特性，非常适合用于电焊等工业应用。
4. 逆变器：在新能源设备（如太阳能逆变器）和UPS系统中提供可靠的电源管理。
5. 消费类电子产品：在各种应用中确保长效和稳定性。

五、总结

STB14NK60ZT4是一款兼具高性能和高稳定性的N沟道MOSFET，凭借其600V漏源电压、13.5A连续漏电流以及优秀的导通性能，成为了高压及高频电子应用的理想选择。其广泛的工作温度范围和高功率处理能力使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行，为设计师在电源管理与控制系统的实现上提供了强有力的支持。选择STB14NK60ZT4，将助力于您的电路设计走向更高的效率与可靠性。