描述：表面贴装型-N-通道-30V-20A（Tc）-3.9W（Ta）-29.8W（Tc）-PowerPAK®-SO-8
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1500+
0.755
产品参数
属性参数值
封装/外壳PowerPAK® SO-8
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）12 毫欧 @ 13.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）820pF @ 15V
功率耗散（最大值）3.9W（Ta），29.8W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
SIR472DP-T1-GE3 产品概述
1. 产品简介
SIR472DP-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世）公司生产的高性能N通道MOSFET，采用PowerPAK® SO-8封装形式，专为要求较高的电源管理和开关应用而设计。其绝佳的电气特性和出色的热管理能力，使其在电源转换、负载驱动和高效率整流电路中广泛应用。
2. 关键参数
- FET类型：N沟道
- 漏源极电压(Vdss)：30V
- 连续漏极电流(Id)：20A (在绝缘体温度Tc下)
- 栅源极电压(Vgss)：±20V
- 驱动电压：支持4.5V和10V下的灵活驱动
- 导通电阻(Rds On)：最大12毫欧 @ 10V时的13.8A
- 栅极阈值电压(Vgs(th))：最大值2.5V @ 250µA
- 栅极电荷(Qg)：最大值23nC @ 10V
- 输入电容(Ciss)：820pF @ 15V
- 功率耗散：3.9W (环境温度Ta)，29.8W (绝缘体温度Tc)
- 工作温度范围：-55°C至150°C (结温TJ)
3. 功能特性
SIR472DP-T1-GE3 拥有优异的热性能，应对高峰值电流和高功率情况下的散热要求。其低导通电阻和快速开关能力使得它在高频应用中也具备优越表现。引脚排列设计适应表面贴装(SMT)工艺，方便与其他元器件的组合，提升系统集成度。
4. 应用场景
SIR472DP-T1-GE3 适用的应用场景十分广泛，包括但不限于：
- 电源转换模块：用于DC-DC转换器，提升转换效率。
- 负载驱动：可用于驱动电机、继电器或其他电感负载。
- 高频开启与关闭：适合开关电源(SWITCHING POWER SUPPLY)及其相关的高频电路。
- 整流应用：在直流电源整流中提供高效的导通路径。
5. 总结
VISHAY SIR472DP-T1-GE3 是一款出色的N通道MOSFET，以其可靠的性能和广泛的应用适应性，为现代电子设备提供了强大支持。无论是在高功率条件下的电源管理，还是在需要高频和高效率的开关应用中，这款MOSFET都能胜任。其坚固耐用的设计，确保了产品在苛刻条件下的稳定性和可靠性，使其成为电源电子设计师的理想选择。用户可通过合理选型和应用SIR472DP-T1-GE3 来提升其电子产品的性能和效率，满足市场对高效能、高集成度解决方案的需求。