描述：场效应管(MOSFET) 5.2W 80V 28A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
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商品单价
梯度内地(含税)
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7.7
100+
6.69
750+
6.08
1500+
5.85
3000+
5.65
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,28A
功率(Pd)53W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)55nC
输入电容(Ciss@Vds)4.7nF@40V
反向传输电容(Crss@Vds)235pF@40V
工作温度-55℃~+150℃
SI7469DP-T1-GE3 产品概述
概述
SI7469DP-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，具备强大的电气性能和广泛的应用适应性。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，具有优良的散热性能与小型化特点，适合于多种电子设备的集成使用。
基本参数
- 漏源电压 (Vdss): 80V
- 连续漏极电流 (Id): 28A (25°C 时，Tc)
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 25mΩ @ 10.2A, 10V
- 最大功率耗散: 5.2W (Ta=25°C)，83.3W (Tc)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 最大栅极电压 (Vgs): ±20V
- 输入电容 (Ciss): 4700pF @ 40V
- 栅极电荷 (Qg): 160nC @ 10V
主要特性
高电压和电流能力: SI7469DP-T1-GE3 能够承受高达 80V 的漏源电压以及 28A 的连续漏极电流，使其在高功率、电源管理以及电机控制等应用中表现出色。
低导通电阻: 该器件的导通电阻为 25mΩ，能够有效降低电能损耗，提高电路效率，是设计低功耗应用时非常理想的选择。
快速开关特性: 通过较低的栅极电荷（160nC），该 MOSFET 可以支持高频开关应用，减少开关损耗，适用于开关电源和其他高频电路布局。
宽广的温度适应性: SI7469DP-T1-GE3 的工作温度范围从 -55°C 至 150°C，使其在恶劣环境条件下也能稳定工作，适合于汽车、工业和航空领域等具有挑战性的应用。
紧凑的封装: PowerPAK® SO-8 封装提供了优良的散热管理能力且占用空间较小，可以有效提升电路的整体集成度与性能。
应用场景
SI7469DP-T1-GE3 适用于诸多应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 作为开关元件在 DC-DC 转换器中使用，能够提高转换效率和整体性能。
- 电机驱动: 在低至中功率电机控制应用中，提供高效的功率开关解决方案。
- 智能家居设备: 在要求低功耗与高可靠性的智能设备中，例如 LED 驱动、电池管理系统等。
- 汽车电子: 在汽车电气控制系统中，能够在恶劣条件下保持性能稳定，适合用于车载充电器等应用。
结论
作为一款高性能的 P 通道 MOSFET，SI7469DP-T1-GE3 以其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑封装而备受青睐，能够满足现代电子设计中对功率性能与效率的高要求。无论是在电源管理、电机控制，还是智能设备和汽车电子等领域，SI7469DP-T1-GE3 都是一个非常可靠的选择。