描述：场效应管(MOSFET) 23W 20V 25A 2个N沟道 PowerPAK1212-8
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商品单价
梯度内地(含税)
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3.55
100+
2.96
750+
2.73
1500+
2.61
3000+
2.5
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16.4mΩ@4.5V,10A
功率(Pd)2.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)1.22nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)32pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
SI7232DN-T1-GE3 产品概述
产品描述
SI7232DN-T1-GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的一款高性能双N沟道 MOSFET（场效应管），其设计旨在满足各种电力电子应用的需求。这款MOSFET在功率路由器、开关电源、直流-直流转换器、马达控制和其他需要优秀开关性能和低导通电阻的电路中表现出色。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 25A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 16.4mΩ @ 10A, 4.5V
- 最大功率耗散: 23W（在环境温度为25°C时）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: PowerPAK® 1212-8（双）
结构与封装
SI7232DN-T1-GE3采用表面贴装封装形式，特别设计的PowerPAK® 1212-8封装使得其在散热性能和空间利用率方面表现出色。这种封装形式在现代电子设备中非常受欢迎，尤其是在要求空间紧凑的应用中。
性能优势
- 低导通电阻: 该MOSFET的导通电阻低至16.4mΩ，有效地减少了在开启状态下的功耗，提升了系统整体的效率。
- 高电流处理能力: 它能够在较高的温度环境下持续承受25A的电流，适用于各种高功率应用。
- 宽工作温度范围: 从-55°C到150°C的工作温度范围保证了其在极端环境下的稳定性能，适合于汽车、工业及军事等领域。
- 逻辑电平门控: 此外，作为逻辑电平门的特性，使得该MOSFET能够在较低的栅电压下工作，提高了在低电压应用中的适应性。
应用领域
SI7232DN-T1-GE3 MOSFET广泛应用于：
- 开关电源和直流-直流变换器：其高效率和低导通电阻使其非常适合用于电源管理电路，降低电源损耗。
- 马达控制：在马达驱动控制系统应用中，MOSFET的快速开关特性和高电流处理能力是实现高效能控制的关键。
- 汽车电子：在汽车应用中，该器件能够在宽广的温度范围内稳定运行，非常适合用于动态负载控制和电源调节。
- 电子开关：作为高频开关元件，适合各种消费电子产品中的信号控制。
小结
综上所述，作为一款性能优异的双N沟道MOSFET，SI7232DN-T1-GE3凭借其低导通电阻、高电流处理能力、宽工作温度范围以及合理的封装设计，为现代电力电子应用提供了强大的支持。其在高效能系统设计中的应用潜力，不仅可以提高设备的运行效率，还能在一定程度上降低开发和运用的成本，是电子工程师在选择MOSFET组件时的理想选择。