描述：场效应管(MOSFET) 5.4W；96W 200V 25A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)70mΩ@10V,5.9A
功率(Pd)5.4W；96W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)77nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.25nF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
SI7172DP-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI7172DP-T1-GE3 是一款由威世半导体（VISHAY）生产的高性能N沟道MOSFET，封装为PowerPAK® SO-8，专为高效率电源管理和开关应用设计。其优异的电气特性使其在要求严格的工业及消费类电子应用中成为理想选择。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 200V
- 连续漏极电流（Id）: 25A（在25°C环境下，基于接合温度Tc）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th）: 4V @ 250uA
- 漏源导通电阻（Rds(on）: 70mΩ @ 5.9A，驱动电压10V
- 最大功率耗散: 96W（在Tc=25°C时），5.4W（在Ta=25°C时）
- 驱动电压: 6V（Rds(on)最大值），10V（Rds(on)最小值）
- 栅极电荷（Qg）: 77nC @ 10V
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 输入电容（Ciss）: 2250pF @ 100V
- 封装类型: PowerPAK® SO-8
特性与优势
高效率: SI7172DP-T1-GE3 的导通电阻仅为70mΩ，非常适合高负载电流的应用场合，有效降低开关损耗和导通损耗，从而提高系统的整体效率。
宽工作电压范围: 该MOSFET的漏源电压可高达200V，使其可以在多种电压环境下稳定工作，适用于不同的电源设计需求。
强大的电流承载能力: 连续漏极电流达到25A，适合高电流需求的应用，如电源管理和电机驱动等。
高温操作能力: 该器件能够在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内稳定运行，满足高温环境下的可靠需求，非常适合汽车及工业应用。
小型化封装: PowerPAK® SO-8封装设计不仅提高了散热效果，还节省了PCB空间，使其适用于对空间有限的应用场合。
优越的开关特性: 高达2250pF的输入电容可以实现快速开关响应，适合高频开关电源应用，减小了整体电路的响应时间。
应用场景
SI7172DP-T1-GE3 在多个行业具有广泛的应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器等电源管理系统。
- 电机控制: 适合于直流电机驱动、高效能伺服系统等。
- 消费电子: 可用于笔记本电脑、平板电脑及其他移动设备中的电源管理和负载开关。
- 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围，适用于汽车电动动力系统及控制电路。
总结
总的来说，SI7172DP-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET，凭借其优越的电气特性、宽广的工作范围和小型封装设计，成为众多高效电源管理及开关应用的理想选择。随着科技的不断发展，对高效和可靠电子元器件的需求日益增加，该产品的应用前景将非常广阔。