描述：场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 30V 16A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
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1.34
750+
1.2
1500+
1.13
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,18A
功率(Pd)3.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.87nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)212pF@15V
工作温度-50℃~+150℃
SI7121DN-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI7121DN-T1-GE3 是一款P沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由威世（Vishay）公司制造。该器件专为高效能和可靠性应用而设计，适合各种电子电路中的开关和放大用途。与其他MOSFET相比，SI7121DN-T1-GE3 拥有出色的导通电阻和热特性，使其在功率管理和电源转换应用中表现优异。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V。这一电压评级提供了合适的电源电压范围，确保在多种应用场景下的稳定运行。
- 连续漏极电流（Id）: 16A（在25°C环境温度下）。这一参数提供了优良的电流传输能力，使其适用于需要较大电流的应用。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA。这一特性保证了器件的高灵敏度，适合使用低电压控制信号的场合。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 18mΩ @ 10A, 10V。当负载电流为10A时，该MOSFET展现出极低的导通电阻，降低开关损耗，提高整体效率。
- 最大功率耗散: 52W（在Tc条件下）和3.7W（在Ta条件下）。这使得SI7121DN-T1-GE3可以在高功率下安全运行，减少因过热引起的性能下降。
- 工作温度范围: -50°C 至 150°C（TJ）。宽广的工作温度范围使得该MOSFET能够在严苛的环境中稳定工作。
应用领域
SI7121DN-T1-GE3 适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 电源管理：在DC-DC转换器、开关电源中，SI7121DN-T1-GE3可以作为开关元件，提升能量转换效率。
- 电机驱动：作为电机驱动电路中的开关元件，提高电机的控制精度和响应速度。
- 负载开关：在负载开关应用中，凭借其低导通电阻和高电流处理能力，SI7121DN-T1-GE3 可有效管理负载的启停。
- 汽车电子：因为能够在宽温度范围下工作，这款MOSFET非常适合用于汽车电子系统，如能量回收系统、照明控制等。
- 消费电子：在需要高效率和小体积的消费类电子产品中，SI7121DN-T1-GE3 也可发挥重要作用。
封装与设计
该MOSFET采用了PowerPAK® 1212-8 封装，具有良好的热管理性能，便于表面贴装。紧凑的封装设计使得其能够在空间受限的电路板上使用，同时也便于散热，从而增强了其散热性能和可靠性。
结论
SI7121DN-T1-GE3 是一款性能卓越的P沟道MOSFET，通过其低Rds(on)、高电流承载能力和宽广的工作温度范围，为设计人员提供了一个优秀的开关和放大选择。其多样的应用场景和可靠来源使得这款MOSFET在现代电子设计中极具价值，无论是在工业、汽车还是消费电子领域，SI7121DN-T1-GE3 都是值得信赖的解决方案。