描述：表面贴装型-N-通道-20V-13.5A（Ta）-1.5W（Ta）-PowerPAK®-1212-8
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产品参数
属性参数值
封装/外壳PowerPAK® 1212-8
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.3 毫欧 @ 21.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）21nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）1.5W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
产品概述：SI7110DN-T1-GE3
概述
SI7110DN-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司制造的高性能N沟道MOSFET（场效应管），其采用先进的PowerPAK® 1212-8封装，设计用于高效的功率转换和开关应用。这款MOSFET的设计特别适合要求紧凑型、高效能和高可靠性的电子电路，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和各种工业设备中。
基本参数
- 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8
- FET 类型: N沟道
- 漏源极电压 (Vdss): 20V
- 最大连续漏极电流 (Id): 13.5A（在25°C环境温度下，附加条件TA）
- 驱动电压 (最大 Rds On、最小 Rds On): 4.5V / 10V
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为5.3毫欧，在10V驱动下，电流21.1A时测得
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为2.5V，250µA下测得
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为21nC，在4.5V下测试
- 最大栅源电压 (Vgs): ±20V
- 功率耗散 (最大值): 1.5W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（结温TJ）
性能特点
SI7110DN-T1-GE3 结合了低导通电阻和高电流能力，使其成为高效开关应用的理想选择。其导通电阻仅为5.3毫欧，在高电流应用中可显著降低功率损耗，提高整体系统的效率。此外，MOSFET的高阈值电压和快速的栅极充电特性，确保了其在快速开关应用中表现出色。
应用场景
- 电源管理: 在DC-DC转换器中，作为开关元件用于提高能量转换效率。
- 电机驱动: 提供强劲的电流输出，适用于电动工具和工业驱动系统。
- 汽车电子: 用于汽车电源系统中的电源转换和控制。
- 工业控制: 在各种自动化设备和控制系统中作为功率开关使用。
可靠性
SI7110DN-T1-GE3的工作温度范围广，能够在极端条件下保持稳定性能。其结温可耐受高达150°C，确保在严苛环境下长期运行的可靠性。同时，该器件的封装采用PowerPAK® 1212-8设计，提供优异的热管理能力，方便在复杂的电路板上进行表面贴装。
结论
SI7110DN-T1-GE3 是一款高效能、高可靠性的N沟道MOSFET，适合用于多种工业和消费类应用。其优异的电气特性和出色的热管理设计，使其成为现代电子设备中不可或缺的关键器件。对于需要低导通电阻、高电流和宽工作温度范围的应用，SI7110DN-T1-GE3无疑是理想选择。