型号:

SI4362DY-T1-E3

品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC-8 NARROW
批次:08+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SI4362DY-T1-E3 产品实物图片
SI4362DY-T1-E3 一小时发货
描述:MOSFET RECOMMENDED ALT SI44
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产品参数

SI4362DY-T1-E3 产品概述

品牌与封装

SI4362DY-T1-E3 是由 VISHAY(威世)公司生产的一款高性能射频(RF)发射接收器件。它采用了 SOIC-8 NARROW(狭窄型小外形封装)封装,这种封装形式使得该器件在空间受限的应用中非常理想。SOIC-8 封装提供了较小的体积,同时也保证了良好的热管理和电气性能,非常适合各种电子设计的需求。

应用领域

SI4362DY-T1-E3 主要应用于远程控制、无线传感器网络、物联网(IoT)设备及其他短距离无线通信的场景。这些应用需要高效的无线通信能力,同时对功耗、频率稳定性和抗干扰能力要求较高。得益于其设计,该器件可以在多个频段内工作,提供稳定和可靠的无线连接。

特性

  1. 传输性能: SI4362DY-T1-E3 支持多种调制格式,包括 OOK(开关键控),FSK(频移键控),以及其他调制方式。这使得其适应性强,可以在不同的应用需求中使用。

  2. 频率范围: 该器件工作于 169 MHz 到 960 MHz 的频率范围,覆盖了许多短距离通信的需求。这使其可以在多种频谱中灵活应用,以满足不同市场的需求。

  3. 低功耗: SI4362DY-T1-E3 的设计考虑了功耗问题,其在接收和发送状态下均表现出超低功耗特性。这对于电池供电的设备尤为重要,能延长设备的使用寿命。

  4. 集成度: 该器件内部集成了射频接收器,调制解调器,发射机和基带处理器,这大大简化了系统设计,减少了外部电路的复杂性和成本。

  5. 灵活的配置: 通过 SPI(串行外设接口),用户可以配置 SI4362DY-T1-E3 的多种参数,包括发射功率、频率等,支持现场升级和应用适配。

性能指标

  • 工作电压范围: 1.8V 到 3.6V,适用于低电压电子设备。
  • 工作温度范围: -40°C 到 +85°C,适合在恶劣环境条件下使用。
  • 灵敏度: 接收灵敏度可达 -110 dBm,保证了远距离通信的可靠性。
  • 发射功率: 可调的发射功率,适应近距离和长距离的通信需求。

设计优势

  1. 紧凑的设计: 由于 SOIC-8 封装的紧凑性,SI4362DY-T1-E3 可轻松集成到空间有限的PCB设计中,为设计师提供更大的布局灵活性。

  2. 简化的设计流程: 由于其高集成度,设计师可以减少所需的元件数量,从而简化设计流程,缩短产品上市时间。

  3. 市场可靠性: VISHAY 是一个享有良好声誉的品牌,其产品在市场上经过了广泛的测试和认可,用户可放心使用。

结论

SI4362DY-T1-E3 是一款功能强大、灵活且高效的射频发射接收器,尤其适合远程控制、无线传感器网络及 IoT 应用。其低功耗、高集成度及优良的传输性能,设计师在开发和实现无线通信解决方案时提供了极大的便利和可能性。通过使用 SI4362DY-T1-E3,设计师不仅能提高产品的竞争力,也能确保在日益增长的无线通信市场中保持领先地位。